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本发明提供一种ＳＯＩ晶片，该ＳＯＩ晶片为至少具备ＳＯＩ层的ＳＯＩ晶片，其特征为：该ＳＯＩ层的面方位的偏角是由｛１１０｝只往＜１００＞方向，而且，偏角角度在５分以上２度以下；及提供一种ＳＯＩ晶片的制造方法，至少贴合基底晶片和由硅单结晶所构成的...
该专利属于信越半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体股份有限公司授权不得商用。

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