时间解析非入侵式诊断系统技术方案

本发明专利技术揭露一种以无探针非侵入性方式来侦测集成电路元件的电子信号的系统。本系统包含一照射源、聚光装置、摄像光学装置及光子感应器。在导引模式中，光源被启动，摄像光学装置用于辨识晶片上的目标区并适当定位聚光装置。聚光装置适当予以定位后，光源即关闭，光子感应器则用来侦测晶片所放射的光子。遑论侦测特征（ＳＩＬ）所用的冷却（主动元件测量功能）及高等光学装置。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于电路时序信息的原位电晶体层级测量系统，其中电路时序信息与电子作用半导体集成电路的电晶体切换事件(逻辑变换)之间有直接关联。
技术介绍
在习知技术中，已知有多种机制能使半导体元件产生放射光。此种放射光的侦测已被用来检查半导体元件。例如，绝缘器内的累增崩溃(avalanche breakdown)会产生放射光，而此种放射光的侦测能指出元件失效的位置。类似的侦测方法可用来测定元件的静电放电特性。在电子模拟(活化)电晶体中，当元件汲取(draw)电流时，经过加速的载子(电子和空穴(hole))-a.k.a.热载子—会发出光。各种放射显微镜已用于侦测元件中电子流超过预期程度的位置，因而借此可判定出半导体元件的失效位置。某些热电子放射显微镜已在习知技术中揭露。例如，美国专利第4,680,635号、第4,811,090号及第5,475,316号即有描述此类放射显微镜。对电晶体(互补式金氧半导体(CMOS))元件而言，电流「脉冲」直接与造成元件状态(逻辑)改变的电压变换一致(即时及特性)。本专利技术主要是解决电性活化半导体电晶体元件所放射的时间性热电子放射，用以研究元件对电流的行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试集成电路晶片的整合系统，该集成电路晶片接受激励以模拟操作状态，该系统至少包含：一测试台，用于在其上放置该晶片；一聚光装置；一双凸固态浸没透镜；一主要照射源，其透过该聚光装置而在导引模式中照射该晶片；一摄像器，利用该晶片的反射光以及该双凸固态浸没透镜所聚集的光，用于摄取该晶片的影像；一光子感应器，其在侦测模式中侦测由该晶片放射的光子，并产生对应电子信号；一系统控制器，其接收该等电子信号及提供该等光子的时序信息；其中该光源在该侦测模式停止照射该晶片。

【技术特征摘要】
US 2001-11-28 09/995,5481.一种测试集成电路晶片的整合系统，该集成电路晶片接受激励以模拟操作状态，该系统至少包含一测试台，用于在其上放置该晶片；一聚光装置；一双凸固态浸没透镜；一主要照射源，其透过该聚光装置而在导引模式中照射该晶片；一摄像器，利用该晶片的反射光以及该双凸固态浸没透镜所聚集的光，用于摄取该晶片的影像；一光子感应器，其在侦测模式中侦测由该晶片放射的光子，并产生对应电子信号；一系统控制器，其接收该等电子信号及提供该等光子的时序信息；其中该光源在该侦测模式停止照射该晶片。2.如权利要求1所述的系统，其另包含一可移动式镜台，该镜台从下侧连接该测试台，且其中该聚光装置固定在该可移动式镜台。3.如权利要求1所述的系统，其另包含一冷却机构。4.如权利要求1所述的系统，其另包含一光学元件，其可操作选择从照射系统将光导引到该晶片，或者将该晶片所放射的光子导引到该光子感应器。5.如权利要求1所述的系统，其中上述摄像器包含一摄像管摄影器。6.如权利要求4所述的系统，其中上述光学元件包含一可切换面镜。7.如权利要求1所述的系统，其中上述光子感应器包含一崩溃光电二极体。8.如权利要求1所述的系统，其另包含一机械式孔径，位于该聚光装置的成像面。9.如权利要求1所述的系统，其另包含一次要照射源，透过该聚光装置照射该晶片。10.如权利要求9所述的系统，其另包含一光纤，在该聚光装置与至少一光子感应器(侦测器)与该次要照射源之间提供一光学路径。11.如权利要求3所述的系统，其中上述冷却机构包含一微喷雾冷却系统。12.如权利要求1所述的系统，其中上述控制器包含一闸道计时器以控制该光子感应器的开启和关闭。...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔穆多克柯顿，奈德派克德门，詹姆士S维克斯，汤玛斯王，
申请(专利权)人：亚帕托尼克斯公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]