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本发明是将硅单晶所构成的接合晶片３１与衬底晶片３２通过氧化膜３３进行贴合后、对接合晶片３１实施减厚加工以制造贴合晶片３９的方法。若使用以下的改进化学腐蚀晶片来作为接合晶片３１及衬底晶片３２，即可减少接合热处理后的未结合区域ＵＡ。改良化学腐蚀...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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