提供可从性能的观点出发适当地组合多种成形材料的多色成形体、多色成形法及基板收纳容器。在准备材质互异的第一、第二成形材料，将由第一成形材料构成的一对第一成形体（１）和由第二成形材料构成的第二成形体（３）组合为一体时，各第一成形体（１）和第...

根据金属有机化合物气相外延法，具有以（１００）方向作为基准方向，倾斜角为１０°到２０°之间的主轴的ＧａＡｓ单结晶基板（１）上，依次形成由包含两个或多个以上ＩＩＩ族元素的（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（其中０≤ｘ≤１，０＜ｙ≤１）构成...

在具有发光层部２４的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体所构成的主化合物半导体层５０一方的主表面，具有将透明导电性半导体基板７０直接贴合的构造，且将主化合物半导体层５０与透明导电性半导体基板７０的贴合界面的碱金属原子浓度调整在大于或等于１×１０↑［１...

水溶性切削液，是在无机膨润土的水分散液中，溶解聚合脂肪酸甘油三酯咪唑和、２甲基－１－硬脂酸酯和、硼酸咪唑，在该主成分中添加油酸（润滑性增强剂）、乙二胺四醋酸钠盐（金属离子吸附剂）、苯冻三唑（防锈力辅助剂）以及硅系消泡剂等辅助剂而构成的。...

本发明提供了即使包含发光层部的化合物半导体层极薄、且产生弯曲时，仍能够在不致产生裂痕及缺口的前提下确实地进行与元件基板间的贴合的发光元件的制造方法。该方法是将化合物半导体层５０与元件基板７重叠制得层压体１３０，以于第一加压构件５１的金属...

一种衬托器（２），其中在半导体基板（Ｗ）的正面上进行单晶薄膜的气相生长时，半导体基板（Ｗ）在凹部（２ｃ）中受到大致水平地支承，并且所述凹部（２ｃ）包括用以支承半导体基板（Ｗ）的外周侧凹部（２０）和形成在所述外周侧凹部（２０）内部且自所述...

本发明是对具有发光层部２４、以及以结晶方位与该发光层部２４一致的方式做积层的ＧａＰ透明半导体层２０，９０而成的发光元件晶圆，以ＧａＰ透明半导体层的侧面成为｛１００｝面的方式进行切割来得到发光元件芯片；该发光层部，在以组成式（ＡｌｘＧａｌ...

本发明提供一种发光元件的制造方法，是在成长用单结晶基板１上，依次外延生长由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体所构成的发光层部２４与电流扩散层７，其中，依次实施以有机金属气相成长法将发光层部２４外延生长于成长用单结晶基板１上的有机金属气相成长步骤、以及...

本发明的发光元件（１００）具有发光层部（２４），其具有依次积层ＡｌＧａＩｎＰ所分别构成之ｎ型包覆层（４）、有源层（５）及ｐ型包覆层（６）的双异质结构；且以部分覆盖第一主表面侧为ｐ型、第二主表面侧为ｎ型之贴合对象层（５０）第一主表面的形式...

在本发明中，一对盒状半容器由聚对苯二甲酸乙二醇酯或类似的材料制成。每一半容器具有一水平边壁，该边壁具有凸起和凹陷，以及凸起的导轨和凹陷的导轨，还具有在其相对侧壁之间所形成的下凹的半导体容纳壁用于容纳半导体晶体。半导体晶体置于半容器的一个...

提供一种能够抑制对操作环境和地球环境的冲击，同时具有磨料高分散性并能够防止沉淀物硬饼化的水基切削液。将磨料颗粒Ｇ分散在将硅酸胶体粒子Ｐ稳定分散在含有乙二醇等亲水性多元醇类化合物、丙二醇等亲油性多元醇类化合物和水的分散剂Ｍ中形成的水基组合...

提供作为温差电器件的性能指数得到改善和加工性优良、不会发生使用中的特性劣化或裂缝的ＳｉＧｅ材料。构成晶体的晶粒的大小在５×１０↑［－５］ｍｍ↑［３］以上。

让ＧａＰ磊晶晶圆之第一主表面侧接触于Ｇａ溶液，对于与该Ｇａ溶液相接之周围环境气氛供给作为氮源之ＮＨ↓［３］气体，以进行Ｎ掺杂之ＧａＰ层的液相磊晶生长。接着，于该制程中使得Ｇａ溶液之周围环境气氛之氨浓度做阶段性或连续性的增加。

一种退火圆片的制造方法，在氩气气氛下以露出清洗后的圆片表面的状态下进行退火时能降低所发生的硼污染、并抑制由退火后的圆片表面附近的硼浓度的增加引起的电阻变化，另外即使用硼浓度比较低（１×１０↑［６］原子／ｃｍ↑［３］以下）的硅片的退火圆片...

在本发明的这种使用抛光布和抛光膏对晶片的周面倒角部分进行镜面精加工的抛光方法中，为了通过减少抛光时间而提高抛光作业的生产率，采用了依次进行的至少包括两个抛光工序的多个工序。该抛光方法包括对晶片周面倒角部分上与晶体平面（１１０）相应的部分...

将从粘合片２上的半导体晶片１剥离的部分作为已剥离区域，除此以外的部分作为未剥离区域，此时，一边将这些已剥离区域与未剥离区域的边界（剥离边界）在滑板２００ａ的边界１２’处保持成直线状、一边使粘合片２相对滑板２００ａ进行相对性移动，使剥离边...

本发明提供一种单晶片的制造方法及研磨装置以及单晶片，控制单晶片外周部的塌边，特别是使近年来所要求的毫微米拓朴的数值变佳。为了解决此课题，本发明的手段为：对于使单晶片表面镜面化的研磨工序中，为了产生单晶片的基准面，而进行单晶片的背面研磨。

本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置，它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状，由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第１区域（Ｗ１），算出在该第１区域（Ｗ１）的基准线（１０ａ）或者基准面（１０ｂ），在该...

提供可抑制主要是直径３００ｍｍ以上的柴氏硅单晶片在进行高温热处理时的滑动转位的发生，且能充分地消除表面附近的内生（Ｇｒｏｗｎ－ｉｎ）缺陷，并提供在单晶片表层部具有ＤＺ层，且基体中可获得具有高除气效果的高密度的氧析出物的退火单晶片。针对以...

在ＧａＰ系半导体基体７０中，以ｐ型层侧的主面作为第一主面１０，以其相反侧的主面作为第二主面１２。在第二主面，藉由研磨后用王水蚀刻，以形成可提高光全反射之向半导体基体７０内侧凸之镜面状凹曲面５１的集合；另一方面，在半导体基体７０之第一接触...