晶片的周面倒角部分的抛光方法技术

在本发明专利技术的这种使用抛光布和抛光膏对晶片的周面倒角部分进行镜面精加工的抛光方法中，为了通过减少抛光时间而提高抛光作业的生产率，采用了依次进行的至少包括两个抛光工序的多个工序。该抛光方法包括对晶片周面倒角部分上与晶体平面（１１０）相应的部分进行抛光的第一抛光工序，以及对晶片的整个周面倒角部分进行抛光的第二抛光工序。在第二抛光工序中使用的抛光布其硬度低于第一抛光工序的抛光布硬度，并在第二抛光工序中使用的抛光膏其所含颗粒的尺寸，小于第一抛光工序的抛光膏的颗粒尺寸。通过改变抛光布的硬度值和／或抛光膏的颗粒尺寸，使抛光度得以改变。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片的周面倒角部分的镜面抛光方法以及用于该方法的设备。
技术介绍
诸如硅半导体或化合物半导体的镜面晶片的制造过程概述如下首先把通过拉伸或类似方法制成的单晶块切成盘状，以获得薄片晶片；然后进行磨光工序，通过对切片工序中产生的很不平整的表层进行磨削，以加工出薄片晶片前后表面之间的平面度和平行度；由于晶片经历了这些机械加工工序后产生了损伤层，即由于表层上的机械冲击而造成损伤层，需要通过化学腐蚀将该层去除掉；作为晶片加工的最后工序，晶片被抛光成镜面。这样产生的半导体晶片被送入后续的器件制造工序，器件制造工序包括基体工序、布线工序以及测试工序。在基体工序中，器件主要的基体结构成形在晶片上；将加工好的基体送入后续的布线工序，以形成进一步的器件结构，例如布置出电路；基体再被切成器件片，将它们送入组装工序。显然，从单晶块到半导体器件的一系列工序中，这些工序的加工对象大多是晶片。不仅在镜面晶片的制造工序中，而且在器件制造工序中，晶片都被作为加工对象。因而在器件制造的基体工序和布线工序中都要对晶片进行处理，利用晶片的周面部分进行操作是贯穿始终的。因此，如果晶片具有切割时的直角形锋利边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在提供抛光膏的同时用抛光布对晶片的周面倒角部分进行抛光的方法，其步骤包括：预制多个具有不同抛光率的抛光工序，以及对周面倒角部分依次进行抛光工序，使每个工序的抛光率逐次减小。

【技术特征摘要】
JP 2000-2-23 45777/001.一种在提供抛光膏的同时用抛光布对晶片的周面倒角部分进行抛光的方法，其步骤包括预制多个具有不同抛光率的抛光工序，以及对周面倒角部分依次进行抛光工序，使每个工序的抛光率逐次减小。2.如权利要求1所述的晶片周面倒角部分的抛光方法，其中所述的多个抛光工序至少包括以大去除量的抛光工作条件对周面倒角部分进行抛光的第一抛光工序，以及将周面倒角部分精密加工成高光洁度和无损伤表面的第二抛光工序。3.如权利要求1所述的晶片周面倒角部分的抛光方法，其中所述的多个抛光工序包括对晶片周面的特定部分进行抛光的第一抛光工序，以及对整个晶片周面进行精密抛光的第二抛光工序。4.如权利要求3所述的晶片周面倒角部分的抛光方法，其中所述的晶片周面特定部分是与晶体平面(110)相对应的部分。5.如权利要求1所述的晶片周面倒角部分的抛光方法，其中在多个工序中，抛光率的改变是通过抛光布硬度值的改变和/或抛光膏中的磨料颗粒尺寸的改变而加以改变的。6.如权利要求5所述的晶片周面倒角部分的抛光方法，其中第二抛光工序中使用的抛光布的硬度比第一抛光工序中的硬度低。7.如权利要求5所述的晶片周面倒角部分的抛光方法，其中第二抛光工序使用的抛光膏中的磨料颗粒...

【专利技术属性】
技术研发人员：水岛一寿，三浦仲寿，关根靖弘，铃木诚，冨井和弥，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]