一种半导体晶片的抛光倒角方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶片的抛光倒角方法，包括：步骤A：将半导体晶片的正面涂覆光刻胶；步骤B：将涂覆光刻胶后的所述半导体晶片粘接到倒角器上；步骤C：将所述粘好半导体晶片的倒角器放到抛光盘上抛光倒角。依照本发明专利技术将半导体晶片的正面与侧面的交界处抛光为一定的弧度面，实现了半导体晶片边缘光亮、圆滑，无掉渣、崩边现象。从而达到降低生产红外焦平面探测器器件的成本、提高其性能和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
—种半导体晶片的抛光倒角方法
本专利技术涉及红外焦平面探测
，尤其涉及。
技术介绍
随着红外焦平面探测器越来越广泛的应用在军事民用的各个领域，对红外焦平面探测器器件的需求也越来越迫切。而生产成本低、性能高、稳定性好的红外焦平面探测器器件的需求越来越大，但是目前的红外焦平面探测器所用的半导体晶片材料经过划片后，晶片边缘处易于崩边掉渣。
技术实现思路
鉴于上述的分析，本专利技术旨在提供，用以解决现有技术中红外焦平面探测器所用的半导体晶片材料经过划片后，晶片边缘处易于崩边掉渣的问题。本专利技术主要是通过以下技术方案实现的:，包括:步骤A:将半导体晶片的正面涂覆光刻胶；步骤B:将涂覆光刻胶后的所述半导体晶片粘接到倒角器上；步骤C:将所述粘好半导体晶片的倒角器放到抛光盘上抛光倒角，使所述半导体晶片的正面与侧面的连接处形成预定弧度的倒角面。优选地，在所述半导体晶片正面涂覆光刻胶的厚度超过所述半导体晶片正面上的铟柱的高度。优选地，所述厚度为20-100微米。优选地，所述倒角面的预定弧度为45-75度。本专利技术提供的，依照本专利技术将半导体晶片的正面与侧面的交界处抛光为一定的弧度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片的抛光倒角方法，其特征在于，包括：步骤A：将半导体晶片的正面涂覆光刻胶；步骤B：将涂覆光刻胶后的所述半导体晶片粘接到倒角器上；步骤C：将所述粘好半导体晶片的倒角器放到抛光盘上抛光倒角，使所述半导体晶片的正面与侧面的连接处形成预定弧度的倒角面。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片的抛光倒角方法，其特征在于，包括: 步骤A:将半导体晶片的正面涂覆光刻胶； 步骤B:将涂覆光刻胶后的所述半导体晶片粘接到倒角器上； 步骤C:将所述粘好半导体晶片的倒角器放到抛光盘上抛光倒角，使所述半导体晶片的正面与侧面的连接处形成预定弧度的倒角面。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海燕，陈慧卿，史春伟，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11