发光元件的制造方法及发光元件技术

本发明专利技术是对具有发光层部２４、以及以结晶方位与该发光层部２４一致的方式做积层的ＧａＰ透明半导体层２０，９０而成的发光元件晶圆，以ＧａＰ透明半导体层的侧面成为｛１００｝面的方式进行切割来得到发光元件芯片；该发光层部，在以组成式（ＡｌｘＧａｌ－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（其中，０≤ｘ≤１，０≤ｙ≤１）表示的化合物中，以与ＧａＡｓ晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层６、活性层５以及第二导电型包覆层４，并依此顺序积层而形成双异质结构，且主表面为（１００）面。藉此提供一种在具有ＡｌＧａＩｎＰ发光层部与ＧａＰ透明半导体层的发光元件中，进行切割时不易产生边缘裂片等不良的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光元件的制造方法与发光元件。北京技术以(AlxGa1-x)yIn1-yP混晶(其中，0≤x≤1，0≤y≤1；以下，亦称为AlGaInP混晶或仅称为AlGaInP)形成发光层部的发光元件，是通过采用将薄的AlGaInP活性层利用带隙较其大的n型AlGaInP包覆层与p型AlGaInP包覆层以夹心状挟持的双异质结构，而可以在如绿色至红色间的宽频带实现高亮度的组件。对发光层部的通电，是透过形成于组件表面的金属电极来进行。金属电极具备遮光体的作用，在发光层部的第一主表面上是以仅覆盖主表面中央部的方式来形成，而使光由其周围的电极非形成区域取出。于此场合，若尽量将金属电极的面积缩小可使得在电极周围形成的光漏出区域面积变大，故在提升光取出效率的观点上是有利的。以往曾尝试着改变电极形状，以使电流扩散于组件内而增加光取出量，但此情形难免会增大电极面积，如此导致光取出面积减少，反而限制了光取出量。再者，为了使在活性层内的载体的发光再结合最佳化，多少会减低包覆层的掺杂物的载体浓度及导电率，使电流不易在面内方向扩散。如此会造成电流密度集中在电极覆盖区域，而降低了在光漏出区域中实质的光取本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件的制造方法，其特征在于：对具有发光层部、以及以结晶方位与该发光层部一致的方式做积层的ＧａＰ透明半导体层而成的发光元件晶圆，以ＧａＰ透明半导体层的侧面成为｛１００｝面的方式进行切割来得到发光元件芯片；该发光层部，在以组成式 （Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｙ］Ｐ（其中，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）表示的化合物中，使用与ＧａＡｓ晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层、活性层以及第二导电型包覆层，并依此顺序积层而形成双异质结构，且主表面为（１００）面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田均，铃木金吾，中村秋夫，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]