【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光元件的制造方法与发光元件。
技术介绍
以(AlxGa1-x)yIn1-yP混晶(其中，0≤x≤1，0≤y≤1；以下，亦称为AlGaInP混晶或称为AlGaInP)形成发光层部的发光元件，是可以通过采用双异质结构，而在比如绿色至红色间的宽频带实现高亮度元件，该双异质结构是指将薄的AlGaInP活性层利用带隙较其大的n型AlGaInP包覆层与p型AlGaInP包覆层以夹心状挟持设置。对发光层部的通电，是通过形成于组件表面的金属电极来进行。金属电极具备遮光体的作用，在发光层部的第一主表面上是以仅覆盖主表面中央部的方式形成，而使光由其周围的电极非形成区域取出。此时，若尽量将金属电极的面积缩小可使得在电极周围形成的光漏出区域面积变大，故在提升光取出效率的观点上是有利的。以往曾尝试着改变电极形状，以使电流扩散于组件内而增加光取出量，但此情形难免会增大电极面积，如此导致光取出面积减少，反而限制了光取出量。再者，为了使在活性层内的载体的发光再结合最佳化，多少会减低包覆层的掺杂物的载体浓度及导电率，使电流不易在面内方向扩散。如此会造成电流密度集中在电极覆盖区域...
【技术保护点】
一种发光元件的制造方法，其特征在于具有：发光元件晶圆制造步骤，该发光元件晶圆是具有发光层部及ＧａＰ光取出层，并以ＧａＰ光取出层的第一主表面成为（１００）面的方式制造；该发光层部，在以组成式（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）↓［ｙ］Ｉｎ ↓［１－ｙ］Ｐ（其特征在于，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）表示的化合物中，使用与ＧａＡｓ晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层、活性层以及第二导电型包覆层，并依此顺序积层而形成双异质结构；该ＧａＰ光取出层，是以本身的第一主表面成为晶圆第一主表面的形式设置在发光层部上；主光取出区域面粗糙步骤，通过面粗糙用蚀刻液，将由（１００）面所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-4-27 131806/20041.一种发光元件的制造方法，其特征在于具有发光元件晶圆制造步骤，该发光元件晶圆是具有发光层部及GaP光取出层，并以GaP光取出层的第一主表面成为(100)面的方式制造；该发光层部，在以组成式(AlxGa1-x)yIn1-yP(其特征在于，，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的化合物中，使用与GaAs晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层、活性层以及第二导电型包覆层，并依此顺序积层而形成双异质结构；该GaP光取出层，是以本身的第一主表面成为晶圆第一主表面的形式设置在发光层部上；主光取出区域面粗糙步骤，通过面粗糙用蚀刻液，将由(100)面所形成的GaP光取出层第一主表面进行蚀刻而形成面粗糙突起部；该蚀刻液，是含有醋酸、氢氟酸、硝酸、碘与水合计量在90％以上，且醋酸、氢氟酸、硝酸与碘的总质量含有率较水的质量含有率为高；以及切割步骤，将发光元件晶圆进行切割，而制造于GaP光取出层第一主表面上形成有面粗糙突起部的发光元件芯片。2.如权利要求1的发光元件的制造方法，其特征在于，该面粗糙用的蚀刻液含有醋酸(以CH3COOH换算)37.4质量％～94.8质量％；氢氟酸(以HF换算)0.4质量％～14.8质量％；硝酸(以HNO3换算)1.3质量％～14.7质量％；碘(以I2换算)0.12质量％～0.84质量％；且水的含量为2.4质量％～45质量％。3.如权利要求1的发光元件的制造方法，其特征在于，该面粗糙用蚀刻液含有醋酸(以CH3COOH换算)45.8质量％～94.8质量％；氢氟酸(以HF换算)0.5质量％～14.8质量％；硝酸(以HNO3换算)1.6质量％～14.7质量％；碘(以I2换算)0.15质量％～0.84质量％；且水的含量为2.4质量％～32.7质量％。4.如权利要求1～3中任一项的发光元件的制造方法，是于该发光元件晶圆中，形成厚度为10μm以上的该GaP光取出层；且包含侧面光取出区域面粗糙步骤，是利用面粗糙用蚀刻液，对由以切割形成的芯片侧面所组成的GaP光取出层的侧面光取出区域进行蚀刻，以形成面粗糙突起部。5.如权利要求4的发光元件的制造方法，其特征在于，该切割是以该芯片侧面成为{100}的方式来进行。6.如权利要求4或5的发光元件的制造方法，其特征在于，在该切割步骤后，通过硫酸-过氧化氢水溶液所组成的损害除去用蚀刻液，将在GaP光取出层的侧面光取出区域上所形成的加工损害层进行蚀刻去除后，再利用面粗糙用蚀刻液进行蚀刻，以形成面粗糙突起部。7.如权利要求6的发光元件的制造方法，其特征在于，该GaP光取出层的厚度为40μm以上。8.如权利要求第1至3项中任一项的发光元件的制造方法，其特征在于，该GaP光取出层是形成未满40μm的厚度，且在该光取出层的侧面上未形成该面粗糙突起部。9.如权利要求第1至8项中任一项的发光元件的制造方法，其特征在于，对使...
【专利技术属性】
技术研发人员：池田均，铃木金吾，中村秋夫，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。