温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的发光元件的制造方法，是将具有发光层部２４（具有由ＡｌＧａＩｎＰ所组成的双异质结构）、以及ＧａＰ光取出层２０（以本身的第一主表面成为晶圆的第一主表面的形式设置于发光层部上）的发光元件晶圆，以ＧａＰ光取出层的第一主表面成为（１００）面的...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。