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本发明是对具有发光层部２４、以及以结晶方位与该发光层部２４一致的方式做积层的ＧａＰ透明半导体层２０，９０而成的发光元件晶圆，以ＧａＰ透明半导体层的侧面成为｛１００｝面的方式进行切割来得到发光元件芯片；该发光层部，在以组成式（ＡｌｘＧａｌ－ｘ...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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