本发明涉及一种清洗方法，其是使用在底面具有倾斜的清洗槽来进行被清洗物的超声波清洗的清洗方法，其特征在于，使用多个所述清洗槽，并使该多个清洗槽的底面的倾斜方向在每个相邻的清洗槽改变，来清洗所述被清洗物。由此，能够解决在通过超声波清洗所实施...

本发明是一种硅磊晶晶圆及其制造方法，该硅磊晶晶圆在对如下单晶硅棒进行切割而制造的硅基板(10)上，具有第二中间磊晶层(22)和掺杂有掺杂剂的第一中间磊晶层(21)，在该第一中间磊晶层(21)上层叠有作为组件形成区域的磊晶层(30)，该单...

本发明提供一种硅晶圆的研磨方法，其对硅晶圆实施镜面研磨工序，在所述镜面研磨工序中，对所述硅晶圆进行粗研磨，然后，对于硅晶圆的表面，通过利用臭氧气体或臭氧水的氧化处理以及通过利用氢氟酸蒸气或氢氟酸水溶液的氧化膜去除处理，进行去除附着在硅晶...

本发明涉及一种依次具备导电性支持基板、金属层及发光部的半导体发光组件，该半导体发光组件的特征在于，所述发光部依次包括n型电流扩散层、n型被覆层、活性层、p型被覆层及p型电流扩散层；所述发光部的各层由AlGaInP类半导体构成；所述半导体...

本发明涉及一种在研磨工件时用以保持该工件的模板组件，其特征在于，具有PET基材；环状的模板部，其被粘接在该PET基材的底面的外周部；以及圆盘状的衬垫，其被粘接在所述PET基材的底面的中央部；在所述模板部的内面与所述衬垫的底面，形成有在研...

本发明提供一种根据CZ法提拉N区域单晶硅棒的单晶硅棒的制造方法，对来自N区域单晶硅棒的样本晶圆实施使氧析出物表面化的热处理，通过进行实施选择蚀刻测定EOSF密度的EOSF检查，和调查浅坑的发生图案的浅坑检查，在根据样本晶圆的缺陷区域的判...

本发明提供一种双面研磨装置用载具的制造方法，是将嵌件材料嵌合并粘结在保持孔中来进行制造，所述保持孔是在被配置于双面研磨装置的贴附有研磨布的上磨盘和下磨盘之间的载具主体上形成，且用于在研磨时保持晶圆，所述嵌件材料接触所保持的晶圆的周边部，...

本发明涉及一种制作SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在对接合晶圆的贴合面和基底晶圆的贴合面中至少一个表面实施等离子处理后，通过氧化膜进行贴合，在剥离热处理中，通过进行第一步骤，即以250℃以下的温度进行2小时以上的热处理，以及第二步骤，...

本发明提供一种线锯的再次开始运转方法，该线锯是一边将钢线的新线从供给侧供给至回收侧，一边使钢线在钢线轴向上作往复行进，向钢线供给切断用的浆料，并将工件相对地压下，使该工件压抵并切入进给于作往复行进的钢线，而将工件切断成晶圆状；该线锯的再...

本发明是一种双面研磨装置用载具，在双面研磨装置中，被配置于各自贴附有研磨布的上磨盘和下磨盘之间，该双面研磨装置用载具形成有保持孔，该保持孔用于在研磨时保持夹在所述上磨盘和下磨盘之间的晶圆，其特征在于，该载具的上下的主要表面部是由β型钛合...

本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，从由半导体单晶基板构成的接合晶圆的表面，将氢气及稀有气体中一种以上的气体离子进行离子注入，形成离子注入层，在将该接合晶圆的进行过离子注入的表面与基底晶圆表面通过氧化膜进行贴合后，用热处理炉进行剥离热处...

本发明是在于提供一种以高精度评价硅基板制造工艺或装置制造工艺中的金属污染或结晶缺陷的硅基板的再结合寿命测定方法。本发明是在对硅基板的表面进行化学钝化处理之后，测定再结合寿命的方法，从所述化学钝化处理到所述再结合寿命的测定结束的期间，至少...

本发明涉及一种单晶硅的制造方法，其是使籽晶与收纳于坩埚内并添加有掺杂物的原料熔融液接触，在形成锥部后，接着形成直体部，从而使电阻率为0.05Ωcm以下且结晶方位为(100)的N型单晶硅生长的基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅的制造方法，其...

本发明涉及一种原料填充方法，在具有圆筒部件及锥形阀的再装填管中收容原料，其中，所述圆筒部件为石英制并收容原料，所述锥形阀用于开闭该圆筒部件下端的开口部，在将该收容有原料的再装填管安置在腔室内，使锥形阀下降，打开圆筒部件下端的开口部，由此...

本发明公开一种具有以高研磨速率进行研磨的第一研磨工序、及接着以低研磨速率进行研磨的第二研磨工序的双面研磨方法，该双面研磨方法包含：测量工序，其在研磨后将从晶圆的最外周部通过中心的直线分割成规定的区间，且光学测量该已分割的区间的截面形状；...

进行气相蚀刻步骤，通过利用HCl气体的气相蚀刻来对气相成长装置的腔室内进行清洁（S1）。继而，实施热处理步骤，在氢气气氛下对既定片数的硅晶片逐片依次进行热处理步骤（S2、S3）。以既定次数重复实施这些气相蚀刻步骤及热处理步骤。即，当未到...

本发明涉及一种单晶硅生长装置，其是在加热用的石墨加热器的内侧配置石墨坩埚，在其内侧配置石英坩埚，并从石英坩埚内装满的原料熔融液中使结晶生长，基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅生长装置，在石墨加热器的外侧具有加热器外侧绝热部件，在石墨坩埚的...

本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在氧化膜形成工序前，进行对准备好的硅晶圆在氧化性气氛下用1100℃～1250℃的温度实施30分钟～120分钟的热处理的工序，以及对成为该热处理后的硅晶圆的贴合面的表面进行研磨的工序。由此，...

本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，在由半导体单晶基板构成的接合晶圆上形成氧化膜，通过该氧化膜将氢气及稀有气体中至少一种气体离子进行离子注入，在所述接合晶圆上形成离子注入层，在将该接合晶圆进行了离子注入的表面与基底晶圆表面通过所述氧化膜...

本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其具有如下工序：在贴合前，至少在接合晶圆的整个表面形成绝缘膜，在保护接合晶圆的与贴合面相反侧的背面的绝缘膜的同时，通过使在离子注入层剥离接合晶圆之前的贴合晶圆接触可溶解绝缘膜的液体，或者暴露在可溶解绝...