本发明涉及一种单结晶晶片及太阳电池单元，单结晶晶片的主表面是相对于单结晶的［１００］轴，于［０１１］方向具有α（０°＜α＜９０°）、于［０１－１］方向具有β（０°＜β＜９０°）、于［１０－１］方向或［１０１］方向具有γ（０°≤γ＜４５°...

一种太阳能电池１００，系在半导体基板１的主表面形成凹凸部，并用绝缘膜３被覆该主表面，在主表面形成未被绝缘膜３被覆之半导体层露出区域５（包含凹凸部的至少部分凸部１５的顶部）。在半导体层露出区域５内的凸部１５之顶部２５上，以直接或透过其它导...

根据本发明，提供一种贴合基板的制造方法，是针对至少具有将２枚的基板接合的工序、及对该接合后的基板给予热处理使其强固地结合的工序之形态的贴合基板的制造方法，其特征为：至少在接合前述基板之前，进行除去该基板表面的污染物质的洗净工序，接着，进...

本发明涉及一种掺杂氮的退火晶片的制造方法，其在对由掺杂氮的硅单晶切削、并至少经过研磨的晶片在氩、氢或其混合气体环境下实施１１００～１３５０℃的高温热处理前，通过进行在小于前述高温热处理的处理温度温度滞留的工序，使前述高温热处理中消灭的尺...

本发明涉及一种贴合晶片的制造方法，通过离子注入剥离法制造贴合晶片，该离子注入剥离法至少具有下列工序，即，将具有通过气体离子注入形成了微小气泡层的结合晶片与作为支持基板的基晶片进行接合的工序、及以上述微小气泡层为界剥离结合晶片从而在基晶片...

本发明的发光组件（１），具有由ｐ型被覆层（２）、活性层（３３）以及ｎ型被覆层（３４）依这一顺序叠层而得到的发光层部，且ｐ型被覆层（２）由ｐ型Ｍｇ＃－［ｘ］Ｚｎ＃－［１－ｘ］Ｏ（其中，０＜ｘ≤１）层构成。再者，利用ＭＯＶＰＥ法形成该层，这...

本发明涉及硅晶片的制造方法及使用该制造方法制造的晶片。本发明的硅晶片的制造方法至少具有游离研磨粒的抛光工序、碱性蚀刻液的蚀刻工序，其特征为，在上述抛光工序使用研磨粒子的最大径为２１μｍ以下、平均粒径８．５μｍ以下的研磨粒子作为游离研磨粒...

在半导体单晶基片２４的第一主表面２４ａ上形成了多个近于平行的沟槽２，而在每个沟槽２的内侧面上形成用于引出电池的金属电极６，这个内侧面用作电极形成区，在沟槽的横着方向观看时的一侧上。在电极形成区形成含金属底层４９后，包含化学镀层、电镀层和...

太阳能电池组件６０具有多个太阳能电池１４，这些太阳能电池在其各个吸收光表面上具有多个平行的凹槽８，每个凹槽具有一在其横向一侧的内侧面（电极形成内侧面）上用于引出输出的电极５；并具有用于以整体化方式支撑太阳能电池１４以使吸收光表面朝上的支...

一种太阳能电池１具有许多互相平行地形成在硅单晶衬底的第一主要表面２４ａ上的沟槽２。电极６形成在每个沟槽的一侧的内侧面上。每个沟槽形成在和第方向不一致的方向上。这样提高了太阳能电池１的机方向在锐角一侧交叉成４度到４５度的角度。

根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的ＯＥＣＯ太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度ｈ总是满足关系式ｈ≥Ｗ↓［１］ｔａｎθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽...

本发明提供一种ＳＯＩ晶片及其制造方法，该ＳＯＩ晶片是利用离子注入剥离法所制作的ＳＯＩ晶片，其特征为：发生在ＳＯＩ晶片边缘部的基片表面外露的平台部的ＳＯＩ岛区域宽度小于１ｍｍ，而且利用ＬＰＤ检查所检测出的存在于ＳＯＩ层表面的尺寸为０．１９...

当采用有机金属汽相生长法生长ｐ型Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ时，在生长期间和／或完成生长以后，在含氧气氛中对Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ进行热处理。此外，在汽相生长半导体层时，采用紫外线照射待生长的基片表面和材料气体。另外，当采用原...

在作为活性层或ｐ型金属包层３２的ＭｇＺｎＯ层中插入与Ｍｇ↓［ａ］Ｚｎ↓［１－ａ］Ｏ型氧化物不同的显示ｐ型导电性的ｐ型氧化物层３２ｂ。据此构成，吸收与补偿电子的作用由ＭｇＺｎＯ层中局部地存在的ｐ型氧化物层担负，所以不须添加大量的ｐ型掺杂剂...

一种加热设备２０包括在其中形成有工件安放空间１的容器２，以及对工件安放空间１中的工件Ｗ进行加热的热源３。所述设备进一步包括热射线反射部件１０，所述热射线反射部分１０具有由热射线反射材料构成的热反射表面１０ａ，使之允许使工件安放空间１中产...

本发明是要提供一种从与习知的ＳＦＱＲ等不同的观点来评价晶片的形状质量所用的晶片的形状评价方法及在曝光装置产生问题少的晶片，以及可拣选具有良好质量的晶片的拣选方法。为此，本发明乃作成以规定角度间隔从晶片中心部直至边缘部求出遍及晶片全周的多...

本发明提供一种外延晶片，在掺杂氮的单晶硅晶片表面形成有硅外延层，其特征在于：体内具有吸气能力的氧析出物密度不低于１０↑［８］个／ｃｍ↑［３］。另外，本发明是提供一种外延晶片的制造方法，其特征在于：用ＣＺ法拉制添加了氮的单晶硅，将该单晶硅...

本发明是一种半导体晶片，其特征为：该半导体晶片的外周部形状是在晶片表面弯曲成凸起（翘起），并且在晶片背面弯曲成悬垂（下垂）。由此，提供在器件制造工程中，即使光刻工程的曝光装置的晶片夹具形状具有偏差，也能够以高良品率在晶片上形成器件图形，...

本发明提供一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以１１００至１３５０℃的温度对以拉晶（ＣＺ）法制作出的单晶硅晶片，进行１０至６００分钟的高温退火的退火晶片，其特征在于：在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶...

本发明提供工件保持盘，具有用于保持工件的一主面、将另一主面镜面研磨的工件保持盘本体，在前述工件保持盘的工件保持面形成微小的孔。本发明的工件研磨装置，具备具有将工件真空吸附保持的贯通孔的工件保持盘本体的用于研磨的工件保持盘，该工件研磨装置...