退火晶片的制造方法以及退火晶片技术

本发明专利技术提供一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以１１００至１３５０℃的温度对以拉晶（ＣＺ）法制作出的单晶硅晶片，进行１０至６００分钟的高温退火的退火晶片，其特征在于：在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于５ｍｍ的晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，以未满上述高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长。由此，可提供一种即使为不小于３００ｍｍ的大口径单晶硅晶片，也可抑制在进行高温退火时所产生的滑动位错的退火晶片的制造方法以及退火晶片。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种退火晶片的制造方法以及退火晶片，特别涉及一种即使是大口径晶片，也可降低滑动位错产生的退火晶片的制造方法以及退火晶片。
技术介绍
近年来，推动器件工艺的高积体化、微细化，对硅晶片而言，谋求提升捕获表层的器件活性区域的完全性与内部(bulk)中的氧析出物构成的内部微小缺陷(BMD)的增加等引起的金属等杂质的吸附能力。对上述要求而尝试各种方法。例如，为了消除晶片表面的缺陷(主要是生长(Grown in)缺陷)，对于用切克劳斯基法(CZ法)而获得的晶片而言，在氩气、氢气或上述气体的混合气体环境中，以1100至1350℃进行10至600分钟左右的高温热处理(退火)。在该高温退火中，将高温退火温度设为1100℃以上的原因是为了有效消除缺陷，又通过设为1350℃以下，可防止晶片的变形与金属污染等问题。然而，对直径不小于200mm的硅晶片进行上述高温退火时，明显产生从晶片背面贯通表面的滑动位错(スリツプ転位)，可以目测检查或微粒计数器检测出来。这种滑动位错已知主要是因自身重量引起而产生的，这种滑动位错是晶片的口径愈大有愈容易产生的倾向。即，与对直径200mm的晶片施加高温退火时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以１１００至１３５０℃的温度对用ＣＺ法制作出的单晶硅晶片，进行１０至６００分钟的高温退火者，其特征在于，在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于５ｍｍ的晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，以未满上述高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长。

【技术特征摘要】
JP 2001-8-30 260777/20011.一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以1100至1350℃的温度对用CZ法制作出的单晶硅晶片，进行10至600分钟的高温退火者，其特征在于，在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，以未满上述高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长。2.如权利要求1的退火晶片的制造方法，其特征为，在950至1050℃的温度范围内进行1至16小时使上述氧析出物生长的预退火。...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林德弘，玉正郎，名古屋孝俊，曲伟峰，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]