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本发明提供一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以１１００至１３５０℃的温度对以拉晶（ＣＺ）法制作出的单晶硅晶片，进行１０至６００分钟的高温退火的退火晶片，其特征在于：在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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