【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，即使在对晶片实施任一种器件形成热处理(尤其指低温、短时间的热处理)的情况下，也能使晶片具有足够的吸气(gettering)能力，在晶片内部形成足够的BMD(Bulk Micro Defect内部微小缺陷)作为吸气部位的。
技术介绍
用于制作半导体集成电路等器件的晶片，主要使用用CZ法制成的单晶硅晶片。在该单晶硅晶片的表面附近极力无缺陷化时，提升了器件的品质，提升其品质最有效的方法之一为外延晶片，其优越性已获证明。另外，在晶片的体(bulk)内虽形成高密度的缺陷(BMD)，但对于器件制作却很有利。这是因为在器件形成热处理中，被重金属杂质污染的机会相当多，由于该重金属对于器件动作将产生不良影响，所以必须多次从器件形成区域表面附近除去该重金属的缘故。实现该要求的方法为吸气技术，该吸气技术中，在晶片的体部形成BMD作为吸气部位。通过切克劳斯基(CZ)法所制造的单晶硅在制造阶段中虽无法避免地含有氧，但是其氧浓度可控制，根据目的制造出具有各种氧浓度的CZ-硅晶片。当上述氧原子受到热处理时，在晶片内部形成氧析出物。此为BMD的主要成分。上述BMD的周围含...
【技术保护点】
一种外延晶片，其特征在于：在掺杂氮的单晶硅晶片表面形成有硅外延层，在体内具有吸气能力的尺寸的氧析出物密度不低于１０↑［８］个／ｃｍ↑［３］。
【技术特征摘要】
JP 2001-8-23 253510/20011.一种外延晶片，其特征在于在掺杂氮的单晶硅晶片表面形成有硅外延层，在体内具有吸气能力的尺寸的氧析出物密度不低于108个/cm3。2.一种外延晶片的制造方法，其特征在于用CZ法拉制添加了氮的单晶硅，将该单晶硅加工成晶片，以制造出单晶硅晶片，在该单晶硅晶片上进行热处理，使晶片体内具有吸气能力的尺寸的氧析出物密度...
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