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本发明提供一种外延晶片，在掺杂氮的单晶硅晶片表面形成有硅外延层，其特征在于：体内具有吸气能力的氧析出物密度不低于１０↑［８］个／ｃｍ↑［３］。另外，本发明是提供一种外延晶片的制造方法，其特征在于：用ＣＺ法拉制添加了氮的单晶硅，将该单晶硅加工...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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