SOI晶片及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种ＳＯＩ晶片及其制造方法，该ＳＯＩ晶片是利用离子注入剥离法所制作的ＳＯＩ晶片，其特征为：发生在ＳＯＩ晶片边缘部的基片表面外露的平台部的ＳＯＩ岛区域宽度小于１ｍｍ，而且利用ＬＰＤ检查所检测出的存在于ＳＯＩ层表面的尺寸为０．１９μｍ以下。因此，可提供一种利用离子注入剥离法所制作的ＳＯＩ晶片，抑制剥离时所发生的ＳＯＩ岛的产生，并且降低ＳＯＩ晶片表面所存在的ＬＰＤ缺陷密度的ＳＯＩ晶片及其制造方法，而且可减少器件不良。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种将注入了离子的晶片结合后剥离来制造SOI(Silicon on Insulator wafer绝缘层硅晶片)晶片的所谓离子注入剥离法(亦称为氢离子剥离法或简易切离法(smart cut))，其中，抑制在平台部(terrace)发生的SOI岛的产生以及SOI晶片表面的LPD缺陷的产生，以减少器件不良的方法。
技术介绍
离子注入剥离法是一种将注入了氢离子或稀有气体离子的晶片结合后剥离来制造SOI晶片的方法，但是在剥离后的SOI晶片边缘部并无法转移(复印)SOI层，因此有时会产生基片(支撑基板)表面外露的平台部。其主要原因在于在晶片边缘部，所接合的晶片间的结合力较弱，所以SOI层不容易转移至基片侧。利用光学显微镜观察此SOI平台部时，判断在SOI层的边缘部有SOI层孤立成岛状的SOI岛产生。由于在器件制作中利用含有HF的水溶液(氢氟酸)的清洗过程当中，埋入氧化膜(有时称为BOX膜)会因为蚀刻而消失，因此这种SOI岛会从晶片剥离，并且成为硅颗粒而再度附着于器件制作区域，以致成为器件缺陷的原因。图1是利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片边缘部的剖视图。图1(a)是SOI晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＯＩ晶片，是利用离子注入剥离法所制作的ＳＯＩ晶片，其特征为：在ＳＯＩ晶片边缘部所产生的基片表面外露的平台部的ＳＯＩ岛区域宽度小于１ｍｍ。

【技术特征摘要】
JP 2001-4-6 108643/20011.一种SOI晶片，是利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片，其特征为在SOI晶片边缘部所产生的基片表面外露的平台部的SOI岛区域宽度小于1mm。2.一种SOI晶片，是利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片，其特征为利用LPD检查所检测出的位于SOI层表面的尺寸为0.19μm以上的凹坑状缺陷的密度，在1counts/cm2以下。3.一种S...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿贺浩司，三谷清，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]