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本发明提供一种ＳＯＩ晶片及其制造方法，该ＳＯＩ晶片是利用离子注入剥离法所制作的ＳＯＩ晶片，其特征为：发生在ＳＯＩ晶片边缘部的基片表面外露的平台部的ＳＯＩ岛区域宽度小于１ｍｍ，而且利用ＬＰＤ检查所检测出的存在于ＳＯＩ层表面的尺寸为０．１９μｍ...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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