半导体器件制造技术

通过在绝缘基片上形成的薄膜晶体管，利用运算放大器和二极管的常规结构构成的整流电路，由于运算放大器的低稳定性和低高频性能，不能展示出整流电路的特性。因此，为了整流高频信号，整流电路需要使用绝缘基片外部的ＩＣ来构成。根据本发明专利技术，放大电路和波形整形电路由薄膜晶体管构成，非整流信号由其信号来切换，因而，能够实现具有卓越高频特性的整流电路。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别是，具有由薄膜半导体元件构成的整流电路的半导体器件。本专利技术也涉及使用具有整流电路的半导体器件的电子装置。
技术介绍
近年，随着通信技术的进步，移动电话被广泛使用。将来，期望传送动画和更多信息。另外，通过减少个人计算机的重量，已经生产了适用于移动通信的装置。源于电子笔记本、被称为PDA的信息终端也已大量生产并广泛使用。随着显示器的发展，大多数携带式信息装置都装有一个平板显示屏。特别是，现在一种用薄膜晶体管构成像素和驱动器的显示器得到广泛使用，该薄膜晶体管通过称为低温多晶硅的技术用激光退火在玻璃上形成多晶硅。另外，使用低温多晶硅技术的电路已得以发展，而且已经公开了采用该技术的CPU、储存电路等等。不久将实现在模拟电路中应用低温多晶硅的技术。利用这样的模拟电路，能够检测来自显示器外部的非电量数据，例如声音和压力。声音信号通过话筒转换成电信号并被放大，然后通过整流电路或者是平滑电路转换成直流电流。基于直流电流的电位能检测非电量数据。在整流电路可由在绝缘基片上的薄膜晶体管构成的情况下，可以更系统化地构成使用低温多晶硅的显示器。如图3所示，整流电路通常由一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：整流电路，所述整流电路具有：电源，基于输入信号形成逻辑信号的装置，以及由逻辑信号控制的开关电路，其中，根据所述开关电路的动作，或者输出输入信号或者输出电源电压，所述装置和 所述开关电路中的至少一个包括薄膜晶体管。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-2 2003-3107671.一种半导体器件，包括整流电路，所述整流电路具有电源，基于输入信号形成逻辑信号的装置，以及由逻辑信号控制的开关电路，其中，根据所述开关电路的动作，或者输出输入信号或者输出电源电压，所述装置和所述开关电路中的至少一个包括薄膜晶体管。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述开关电路是模拟开关电路。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述模拟开关电路由N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管构成，进一步，所述N型薄膜晶体管和所述P型薄膜晶体管的各自的栅极宽度大致相等。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件应用于从包括摄像机、数码相机、头戴式显示器、游戏机、车载导航系统，个人计算机、携带式信息终端和电视机的组中选择的电子装置。5.一种半导体器件，包括在绝缘基片上的整流电路，所述整流电路具有放大电路，波形整形电路，用以对放大电路的输出信号的波形进行整形，以及开关电路，由所述波形整形电路的输出信号控制；其中，所述放大电路、所述波形整形电路和所述开关电路的至少一个包括薄膜晶体管。6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述开关电路是模拟开关电路。7.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述模拟开关电路由N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管构成，进一步，所述N型薄膜晶体管和所述P型薄膜晶体管的各自的栅极宽度大致相等。8.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述波形整形电路是反相电路。9.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件应用于从包括摄像机、数码相机、头戴式显示器、游戏机、车载导航系统，个人计算机、携带式信息终端和电视机的组中选择的电子装置。10.一种半导体器件，包括在绝缘基片上的整流电路，所述整流电路具有放大电路，波形整形电路，用以对放大电路的输出信号的波形进行整形，开关电路，由所述波形整形电路的输出信号控制，以及连接所述开关电路的电阻；其中，所述放大电路、所述波形整形电路和所述开关电路的至少一个包括薄膜晶体管。11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述开关电路是模拟开关电路。12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述模拟开关电路由N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管构成，进一步，所述N型薄膜晶体管和所述P型薄膜晶体管的各自的栅极宽度大致相等。13.如权利要求10所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山潤，長多剛，松嵜隆德，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]