半导体晶片制造技术

本发明专利技术是一种半导体晶片，其特征为：该半导体晶片的外周部形状是在晶片表面弯曲成凸起（翘起），并且在晶片背面弯曲成悬垂（下垂）。由此，提供在器件制造工程中，即使光刻工程的曝光装置的晶片夹具形状具有偏差，也能够以高良品率在晶片上形成器件图形，并且于进行ＣＭＰ时能以均匀的研磨量来研磨晶片的半导体晶片。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及以硅晶片为代表的半导体晶片，尤其涉及半导体晶片的形状。
技术介绍
以往，例如作为半导体基板材料所使用的硅晶片的制造是在晶片厂进行的，一般而言，通过切克劳斯基(CzochralskiCZ)法或漂浮区域溶融(Floating ZoneFZ)法等生成圆筒状的半导体单晶锭料，将所生成的半导体单晶锭料切断成薄板状(切片)而制制作晶片后，对所取得的晶片进行下列的工程来制造半导体晶片为了防止晶片破裂、缺口而将晶片外周部予以倒角的倒角工程；为了使晶片的厚度及平整度一致而进行的擦光工程；为了除去晶片的加工变形而蚀刻晶片的蚀刻工程；为了使被蚀刻处理后的晶片表面粗度及平整度更佳而将晶片表面予以镜面化的研磨工程(抛光)工程；洗净晶片而除去附着于晶片上的研磨剂或异物的洗净工程等。该半导体晶片的制造工程虽然表示主要的工程，但是也可增加其它如热处理工程等的工程，或替换工程顺序。如此所制造出的半导体晶片，一般是在器件厂侧于晶片上形成器件，而制造出半导体器件。在半导体器件的制造工程中，例如在半导体晶片上将氧化膜、金属膜或是多晶硅等的薄膜形成层状而形成抗蚀图形的工程一般是进行20次～30次，当以DRA本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片，其特征为：该半导体晶片的外周部形状是在晶片表面弯曲成凸起（翘起），并且在晶片背面弯曲成悬垂（下垂）。

【技术特征摘要】
JP 2002-6-13 173319/20021.一种半导体晶片，其特征为该半导体晶片的外周部形状是在晶片表面弯曲成凸起(翘起)，并且在晶片背面弯曲成悬垂(下垂)。2.如权利要求1所记载的半导体晶片，其特征为，上述半导体晶片的外周部的弯曲，是于测定半导体晶片的表面及背面的形状数据，根据所测定的晶片表面及背面的形状数据分别制作沿着半径方向的形状轮廓，对所制作的形状轮廓进行微分处理而算出微分轮廓时，表示晶片表面的微分轮廓在外周部凸起般的弯曲(翘起)，并表示晶片背面的微分轮廓在外周部悬垂般的弯曲(下垂)。3.如权利要求1或2所记载的半导体晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫下昭，讃岐幸悦，佐藤正和，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]