【技术实现步骤摘要】
本专利技术是使用半导体芯片的半导体装置，涉及将单面上形成第1电极单元和第2电极单元的半导体芯片焊接在形成在电路基片表面上的一对外部连接用电极上进行连接的构成。
技术介绍
至今，例如，如先行技术的日本平成11年公布的11-121797号专利公报和日本2002年公布的2002-94123号专利公报中揭示的那样，作为搭载在表面安装型的发光二极管上的半导体芯片的发光二极管芯片(发光元件芯片)1是由发光源是氮化镓系化合物半导体，用至今众所周知的有机金属气相成长法在用蓝宝石玻璃的结晶基片的单面上形成多个半导体薄膜层构成的。该薄膜层积体，如图1(a)和图1(b)所示，从用透明的蓝宝石玻璃的平面视图为四角形状的结晶基片1a的表面顺序地具有GaN缓冲层1b、n型GaN层1c、InGaN活性层1d、p型AlGaN层1e、和p型GaN层1f，形成双异质构造。通过刻蚀段差状地除去上述n型GaN层1c的角部的上面。用蒸涂法在该除去的部分上形成Ti和Au的层积膜和其上重叠Ni和Au的层积膜的n侧电极2(以下称为第1电极单元)。又，在通过刻蚀除去上述除去部分的最上层的p型GaN层1f的上面...
【技术保护点】
使用半导体芯片的半导体装置，其特征是：它是由 在平面视图大致为四角形状的结晶基片的单面上，备有在该结晶基片的一个角部形成的１个小区域的第１电极单元、和包含与该第１电极单元对峙并且与上述１个角部相对地位于对角线上的另一个角部，沿夹着该另一个角部的结晶基片的２侧边延伸地形成的大区域的第２电极单元的半导体体芯片、和在表面上形成用焊膏等的加热熔融性的小片粘合剂分别与上述第１电极单元和第２电极单元粘合起来的一对外部连接用电极的电路基片构成的，上述外部连接用电极由具有与上述第１电极单元连接的第１引线单元的第１外部连接用电极、和具有与上述第２电极单元连接的第２引线单元的第２外部连接用电极...
【技术特征摘要】
JP 2002-5-21 146657/20021.使用半导体芯片的半导体装置，其特征是它是由在平面视图大致为四角形状的结晶基片的单面上，备有在该结晶基片的一个角部形成的1个小区域的第1电极单元、和包含与该第1电极单元对峙并且与上述1个角部相对地位于对角线上的另一个角部，沿夹着该另一个角部的结晶基片的2侧边延伸地形成的大区域的第2电极单元的半导体体芯片、和在表面上形成用焊膏等的加热熔融性的小片粘合剂分别与上述第1电极单元和第2电极单元粘合起来的一对外部连接用电极的电路基片构成的，上述外部连接用电极由具有与上述第1电极单元连接的第1引线单元的第1外部连接用电极、和具有与上述第2电极单元连接的第2引线单元的第2外部连接用电极构成，在上述第1外部连接用电极中的窄幅的第1引线单元与在上述结晶基片中的1侧边交叉地延伸，在上述第2外部连接用电极中的至少一条窄幅地形成的第2引线单元在与上述第1引线单元延伸的方向相反的方向上延伸，并且与上述第1引线单元交叉的上述1侧边大致平行的结晶基片的1侧边交叉地延伸，上述第1引线单元和第2引线单元只以适宜的尺寸相互偏移地配置。2.使用半导体芯片的半导体装置，其特征是它是由在平面视图大致为四角形状的结晶基片的单面上，备有在该结晶基片的一个角部形成的1个小区域的第1电极单元、和包含与该第1电极单元对峙并且与上述1个角部相对地位于对角线上的另一个角部，沿夹着该另一个角部的结晶基片的2侧边延伸地形成的大区域的第2电极单元的半导体体芯片、和在表面上形成用焊膏等的加热熔融性的小片粘合剂分别与上述第1电极单元和第2电极单元粘合起来的一对外部连接用电极的电路基片构成的，上述外部连接用电极由具有与上述第1电极单元连接的第1引线单元的第1外部连接用电极、和具有与上述第2电极单元连接的第2引线单元的第2外部连接用电极构成，在上述第1外部连接用电极中的窄幅的第1引线单元与在上述结晶基片中的1侧边交叉地延伸，在上述第2外部连接用电极中的至少一条窄幅地形成的第2引线单元在与上述第1引线单元延伸的方向相反的方向上延伸，并且与上述第1引线单元交叉的上述1侧边大致平行的结晶基片的1侧边交叉地延伸，在上述第2...
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