硅晶片的制造方法及硅晶片以及SOI晶片技术

本发明专利技术涉及硅晶片的制造方法及使用该制造方法制造的晶片。本发明专利技术的硅晶片的制造方法至少具有游离研磨粒的抛光工序、碱性蚀刻液的蚀刻工序，其特征为，在上述抛光工序使用研磨粒子的最大径为２１μｍ以下、平均粒径８．５μｍ以下的研磨粒子作为游离研磨粒进行抛光，其后，在上述蚀刻工序使用碱性成分的浓度在５０重量％以上的水溶液作为碱性蚀刻液进行蚀刻。根据本发明专利技术，可提供能防止晶片的表面粗度及晶片全面的平坦度的恶化的硅晶片制造方法及使用该制造方法制作的硅晶片。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅晶片的制造方法，能防止在硅晶片制造工序所发生的发尘及平坦度的恶化，特别涉及抛光工序及蚀刻工序。
技术介绍
以往，在制造IC或LSI等集成电路或晶体管或二极管等分立半导体元件所使用的晶片时，例如依图7所示的制造工序进行。对由切氏法(CZ法)或浮区法(FZ法)等生长的硅锭，首先，使用圆刃切断机或线锯等在切割工序(A)将其切割成晶片状。其次，为防止晶片侧面的缺欠等，在倒棱(倒角)工序(B)进行晶片外缘部分的倒棱加工后，为提高平坦度而对晶片表面使用游离研磨粒在抛光(rubbing)工序(C)施以抛光加工。其后，为除去由上述工序所产生的加工变形，在蚀刻工序(D)进行湿法蚀刻。此蚀刻工序之后，通过进行对晶片表面的一面或两面进行镜面研磨的研磨(polishing)工序(E)，制造镜面的硅晶片。一般，抛光工序所使用的研磨粒，以使用氧化铝系微粉研磨材为主。其中，现今作为硅晶片等的半导体结晶的抛光材料，使用日本富士美(FUJIMI INCORPORATE)株式会社制的FO研磨粒，几乎占日本国内接近100％的使用率。特别是，使用具有FO研磨粒#1000(最大径30μm以下，平均粒径14本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅晶片的制造方法，至少具有用游离研磨粒的抛光工序、用碱性蚀刻液的蚀刻工序，其特征为，在该抛光工序中，使用最大径为２１μｍ以下、平均粒径在８．５μｍ以下的研磨粒子作为游离研磨粒进行抛光，其后，在蚀刻工序中，使用碱性成分的浓度在５０重量％以上的水溶液作为碱性蚀刻液进行蚀刻。

【技术特征摘要】
JP 2001-11-28 362417/011.一种硅晶片的制造方法，至少具有用游离研磨粒的抛光工序、用碱性蚀刻液的蚀刻工序，其特征为，在该抛光工序中，使用最大径为21μm以下、平均粒径在8.5μm以下的研磨粒子作为游离研磨粒进行抛光，其后，在蚀刻工序中，使用碱性成分的浓度在50重量％以上的水溶液作为碱性蚀刻液进行蚀刻。2.如权利要求1所述的硅晶片的制造方法，其中，上述碱性水溶液的碱性成分为氢氧化钠。3.如权利要求1或2所述的硅晶片的制造方法，其中，将上述碱性水溶液的液温，控制在80℃～300℃的区域内进行蚀刻。4.如权利要求1至3项中任一项所述的硅晶片的制造方法，其中，使用氧化铝系微粉研磨材作为上述游离研磨粒。5.如权利要求4所述的硅晶片的制造方法，其中，上述氧化铝系微粉研磨材是氧化铝质研磨粒及锆质研磨粒混合而成的人造金刚砂研磨材。6.如权利要求1至5中任一项所述的硅晶片的制造方法，其中，上述碱性水溶液的碱性成分的浓度为70重量％以下。7.一种硅晶片，其特征为，通过权利要求1至6项中任一项所述的方法制造。8.一种硅晶片，在两面有蚀刻面，其特征为，在除距离上述蚀刻面的晶片外缘端1mm以内的区域之外的晶片外缘部分，由晶片中心侧的区域的晶片面的厚度位移求出的、相对于基准面的晶片外缘部分形状的厚度的差的最小值(下垂)的绝对值为0.2μm以下。9.如权利要求8所述的硅晶片，其中，在除距离上述蚀刻面的晶片外缘端1mm以内的区域之外的晶片外缘部分，由晶片中心侧的区域的晶片面的厚度位移求出的、相对于基准面的晶片外缘部分形状的厚度的差的最大值(上翘)的绝对值为0.2μm以下。10.如权利要求8或9所述的硅晶片，其中，上述硅晶片的面方向为(100)，在上述该硅晶片的蚀刻面上，具有形成四边沿结晶方向<110>的正方形状开口部的蚀刻凹陷。11.如权利要求10所述的硅晶片，其中，上述蚀刻凹陷的尺寸的平均值为6μm以下者。12.如权利要求8或9所述的硅晶片，其中，上述硅晶片的导电型为p型、电阻率为0.01Ω·cm以下、面方向为(100)，在该硅晶片的蚀刻面上，具有形成四边...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭塚人，二本松孝，吉田正彦，宫崎诚一，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]