研磨垫及其制法和研磨方法技术

根据本发明专利技术，提供了一种用于研磨制造半导体集成电路用晶片的表面的研磨垫，其中所述研磨垫的研磨速率高且研磨均匀、寿命长。优选本发明专利技术的研磨垫包括非织布（基材）和填充非织布间的空隙的无孔光固化树脂，并且可以通过用含有选自亲水光聚合性聚合物或低聚物和／或亲水光聚合性单体中的至少一种的光敏树脂组合物浸渍基材，然后对其光固化而制成。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种研磨垫，用于通过化学机械研磨方法对制作集成电路用的晶片表面的非平面台阶(non planar steps)的平坦化步骤，以及一种制造该研磨垫的方法和使用该研磨垫的研磨方法。
技术介绍
制造半导体集成电路的过程包括在晶片表面形成导电膜，然后通过光刻法和蚀刻法形成布线图案的过程，以及在所述布线图案上形成层间介质薄膜的过程。通过这些过程，在晶片表面形成了由导电材料和绝缘材料组成的非平面台阶。近年来，为了达到半导体集成电路高密度的目的，布线图案的微型化和多层化取得了进展，在光刻过程中为了保证聚焦深度，用于平坦化晶片表面的非平面台阶的技术变得重要。作为平坦化用于制作半导体集成电路的晶片表面的非平面台阶的方法，当前主要使用化学机械研磨(以下简称“CMP”)。CMP方法是使用磨料粒以研磨浆的形式分散的处理液(以下简称“研磨浆”)，将处理液的化学作用和磨料粒的机械作用合并的研磨方法。用于CMP方法中的研磨装置主要由工作台、晶片承载头、研磨浆进料喷嘴和修整机。研磨垫粘贴在所述工作台上，用于制作半导体集成电路的晶片安装在晶片承载头上。CMP方法的研磨是通过使安装在晶片承载头上的晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在制作半导体集成电路用晶片的表面研磨中使用的研磨垫，包括布帛和填充布帛的构成纤维间的空隙的无孔树脂。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：古川祥一，中村淳，
申请(专利权)人：旭化成电子材料元件株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]