气雾剂清洗装置及其控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种气雾剂清洗装置及其控制方法，其中，设置了气雾剂备用状态，使冷冻装置保持运转状态地对气雾剂生成气体的供给加以中断，从而能够实现缩短气雾剂生成时间和减少氩气和氮气的消耗量。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及气雾剂(aerosol)清洗装置及其控制方法，尤其涉及这样一种，即适用于清洗像半导体晶片那样的基片表面、能够缩短气雾剂生成时间并且降低氩气和氮气等的气雾剂生成气体的消耗量。
技术介绍
大规模集成电路制造工序中的半导体用晶片的表面上和液晶(LED)或太阳电池等的表面上的微粒子(灰尘)和污物会使最终产品的合格率大大降低，所以上述晶片等的表面清洗非常重要。因此，过去已提出了各种表面清洗方法，以半导体制造为例，其采用的湿式清洗方式，例如采用超声波的纯水清洗，把被清洗物浸渍到一种溶液中进行清洗，该溶液是在纯水中加入药液(例如氨过氧化氢液或硫酸过氧化氢液)。然而，这种湿式清洗方式存在的问题是各种设备安装占用面积很大，也还要进行废液处理。再者，随着最近半导体电路的微细化、高功能化，在半导体晶片上所使用的材料品种也越来越多，例如贵金属和重金属及其氧化物和有机物等，在使用这些材料的工艺中，出现的问题是存在不用说不能使用药液，连纯水也不能使用的情况。急需新的清洗方式。另一方面，不用液体的干式清洗方式有加气利用化学反应的干式清洗，但其存在的问题是不能清除微粒子的污染物。再者，也可以考虑使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气雾剂清洗装置，其是把由冷冻装置冷却后的气雾剂生成气体从气雾剂生成喷咀喷出到清洗室内而形成气雾剂、使该气雾剂冲撞被清洗物的表面从而对被清洗物进行清洗的气雾剂清洗装置，其特征在于：具有用于形成使上述冷冻装置运转着的状态下、中断上述气雾剂生成气体的供给的备用状态的阀门。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2002-6-17 176116/20021.一种气雾剂清洗装置，其是把由冷冻装置冷却后的气雾剂生成气体从气雾剂生成喷咀喷出到清洗室内而形成气雾剂、使该气雾剂冲撞被清洗物的表面从而对被清洗物进行清洗的气雾剂清洗装置，其特征在于具有用于形成使上述冷冻装置运转着的状态下、中断上述气雾剂生成气体的供给的备用状态的阀门。2.如权利要求1所述的气雾剂清洗装置，其特征在于上述阀门是氩气供给阀门、氮气供给阀门、混合气体供给阀门、清除气体阀门、清洗室排气阀门中的至少任一个。3.一种气雾剂清洗装置的控制方法，其是把由上述冷冻装置冷却后的气雾剂生成气体从气雾剂生成喷咀喷出到清洗室内而形成气雾剂、使该气雾剂冲撞被清洗物表面从而对被清洗物进行清洗的气雾剂清洗装置的控制方法，其特征在于在...

【专利技术属性】
技术研发人员：宗像昭彦，高梨今日子，
申请(专利权)人：住友重机械工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]