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本发明涉及硅晶片的制造方法及使用该制造方法制造的晶片。本发明的硅晶片的制造方法至少具有游离研磨粒的抛光工序、碱性蚀刻液的蚀刻工序，其特征为，在上述抛光工序使用研磨粒子的最大径为２１μｍ以下、平均粒径８．５μｍ以下的研磨粒子作为游离研磨粒进行...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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