【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种对其表面具有精细结构(微结构化表面)的工件诸如半导体基片(晶片)进行有效洗涤、显影或干燥的方法，例如一种用于除去半导体制造工艺中粘着在基片表面上的不必要材料如抗蚀剂等，使之离开基片并借此去除的方法。
技术介绍
在半导体器件领域，形成精细图案被迅速发展。约10多年前这种器件的线路尺寸基本上为1微米，而今基本上为0.18微米，此外，线路尺寸达0.13微米的器件几乎已进入实际使用之中。此外，并已开始了研究及发展生产线路尺寸在0.10-0.07微米，乃至0.05微米的半导体器件。此外，对引入新型材料也随高速半导体器件在大力研究之中。例如，作为绝缘体，低介电常数(低k)材料吸引日益增多的关注，而且近来还积极研究使用有机材料和有机/无机复合材料的多孔材料作为低k材料的可能性和如何降低介电常数的问题。这种半导体器件的发展引起了各种迄今尚无疑问的问题。例如，对于半导体制造工艺中的一个重要过程，洗涤过程，迄今采用了湿洗法作为半导体晶片洗涤方法，其中用一种在超纯水中添加必要添加剂的溶液洗涤半导体。洗涤之后，一般用超纯水清洗晶片，然后用旋转脱水机，使晶片旋转，甩出...
【技术保护点】
一种通过在高压处理室中使工件表面与超临界二氧化碳和添加剂进行接触而用于除去工件表面上不必要物质的高压处理方法，该方法包括以下步骤： 在所述高压处理室中装入所述工件之后，密封高压处理室； 用提供给所述高压处理室的增压二氧化碳，使高压处理室增压至分别比其临界压力和临界温度高的预定压力和预定温度； 在所述高压处理室上游，通过使所述添加剂和共溶剂与所述超临界二氧化碳混合，使添加剂和共溶剂溶解于超临界二氧化碳中； 通过向所述高压处理连续提供预定量的由所述添加剂、共溶剂与超临界二氧化碳组成的混合物，并从所述高压处理室排出与预定供给量基本等量的高压流体，而除去所述...
【技术特征摘要】
JP 2001-12-3 369115/20011.一种通过在高压处理室中使工件表面与超临界二氧化碳和添加剂进行接触而用于除去工件表面上不必要物质的高压处理方法，该方法包括以下步骤在所述高压处理室中装入所述工件之后，密封高压处理室；用提供给所述高压处理室的增压二氧化碳，使高压处理室增压至分别比其临界压力和临界温度高的预定压力和预定温度；在所述高压处理室上游，通过使所述添加剂和共溶剂与所述超临界二氧化碳混合，使添加剂和共溶剂溶解于超临界二氧化碳中；通过向所述高压处理连续提供预定量的由所述添加剂、共溶剂与超临界二氧化碳组成的混合物，并从所述高压处理室排出与预定供给量基本等量的高压流体，而除去所述工件上不必要的物质，同时维持高压处理室内部高于二氧化碳的临界压力和临界温度；通过停止所述添加剂的进料，并在高压处理室上游混合所述共溶剂与超临界二氧化碳，获得其中共溶剂溶于所述超临界二氧化碳中的第一清洗流体；通过连续供给预定量的所述第一清洗流体至高压处理室中，并从高压处理室排出与预定供给量基本等量的高压流体，用第一清洗流体进行第一次清洗过程，以置换在高压处理室中的由所述添加剂、共溶剂和超临界二氧化碳组成的混合流体，同时维持高压处理室内部高于二氧化碳的临界压力和临界温度；通过停止提供所述共溶剂，连续对高压处理室仅提供预定...
【专利技术属性】
技术研发人员：井上阳一，增田薰，饭岛胜之，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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