半导体晶片背面研磨方法技术

一种半导体晶片背面研磨方法，该方法通过研磨装置研磨半导体晶片背面，由此使半导体晶片达到预定厚度，该半导体晶片具有形成在其正面上的多个电路并具有接近半圆截面形状的外周边。在研磨半导体晶片背面之前采用了预处理，用于使该半导体晶片的外周边形成相对于该半导体晶片背面成θ角的平面，８０度≤θ≤１００度，优选为８５度≤θ≤９５度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，该方法通过研磨装置，研磨半导体晶片的背面，使半导体晶片达到预定的厚度，该半导体晶片在其正面上形成有多个电路并具有接近半圆形截面形状的外周边。
技术介绍
本领域的技术人员人都熟知，对于半导体芯片的制造来说，接近于圆盘形状的半导体晶片的正面被布置在栅格图案中的多个道分成多个矩形区域，并在每个所得到的部分中形成电路。然后，研磨半导体晶片背面以将半导体晶片减小到预定厚度。然后，沿道切割半导体晶片以各个地分开多个矩形区域，以此生产半导体芯片。最近，采用了所谓预先划片法，就是在研磨半导体晶片背面之前沿着半导体晶片正面的多个道形成凹槽，然后研磨半导体晶片的背面使半导体晶片的厚度小于凹槽深度，由此各个地分开多个矩形区域。通过将半导体晶片吸引到具有平表面的吸盘上，使半导体晶片的背面向上暴露，旋转地驱动吸盘，同时向半导体晶片背面压下旋转驱动的研磨装置，由此进行半导体晶片的研磨。具有设置在环状支撑件的下表面上的多个全部都是环状的研磨轮或者单个连续环状研磨轮的研磨装置被广泛使用。但是，常规的具有以下的问题要解决半导体晶片的外周边具有接近于半圆状的横截面，意在防止半导体晶片周边部分碎裂的发生，这种碎裂是在实施用于在半导体晶片正面上划线形成的多个矩形区域中的每一个中施加电路的各个步骤时发生的。因此，当半导体晶片被吸引到吸盘的平表面上时，半导体晶片的正面向上暴露，为了研磨半导体晶片背面，在吸盘表面和半导体晶片正面之间在半导体晶片外周边中形成一些间隙。根据我们的(本专利技术人的)经验，当利用对半导体晶片背面施压的研磨装置执行研磨操作时，由于上面的间隙，使得在半导体晶片的外周边部分中引起细微的振动，因此容易在半导体晶片的外周边部分中发生碎裂。最近，经常要求半导体晶片薄到30到100μm以使半导体晶片的重量轻和紧密。将半导体晶片研磨到这种薄度增加了半导体晶片外周边部分中发生碎裂的可能性，并给半导体晶片外周边带来不希望的锋利的刀刃。日本未审查的专利公开No.1996-37169提供了一种方法，为了避免在通过研磨半导体晶片背面使半导体晶片变薄期间使半导体晶片的外周边处形成锋利的刀刃，在研磨半导体晶片背面前，将半导体晶片背面外周边部分研磨成截断的圆锥形，其中，该外周边部分向外朝半导体晶片的正面成放射状地倾斜。根据这种提议，研磨半导体晶片背面后，半导体晶片的外周边得到接近半圆的剖面形状，因而避免了形成锋利的刀刃。但是，在吸盘表面和半导体晶片正面之间在半导体晶片外周边部分处还存在一些间隙。而且，由于以上述方式对半导体晶片背面的外周边部分研磨，半导体晶片的外周边部分相对于半导体晶片的其他部分局部很薄。因此，在研磨半导体晶片背面期间半导体晶片外周边部分中发生碎裂的倾向没有避免，而且是增加了。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个主要目的是提供一种新颖的且改善的用于研磨半导体晶片背面的方法，该方法可以可靠地避免由于研磨半导体晶片背面而导致的半导体晶片外周边处形成锋利的刀刃，该方法还可以防止或抑制在研磨半导体晶片背面期间在半导体晶片的外周边部分中出现碎裂。根据本专利技术，为了达到上述主要目的，在研磨半导体晶片背面之前采用了预处理，用于使半导体晶片的外周边形成相对于半导体晶片背面成θ角的平面，使得80度≤θ≤100度。即，根据本专利技术，提供了一种作为用于达到上述主要目的的，通过研磨装置，研磨具有在其正面上形成的多个电路且具有接近半圆截面形状的外周边的半导体晶片的背面，从而使半导体晶片达到预定厚度，其特征在于在研磨半导体晶片背面之前采用了预处理，用于使半导体晶片的外周边形成相对于半导体晶片背面成θ角的平面，使得80度≤θ≤100度。优选为85度≤θ≤95度。可以通过用旋转切割工具切割半导体晶片的外周边或通过用旋转研磨工具研磨半导体晶片的外周边来实施预处理。在优选实施例中，在实施预处理之前或之后，保护带被粘在半导体晶片的正面，并且保护带的外周边与半导体晶片的外周边基本上对齐。如果对除了半导体晶片正面的外周边部分之外的半导体晶片正面施加用于保护多个电路的保护涂层，在预处理中保护涂层的外周边与半导体晶片的外周边基本上对齐。附图说明图1是示出其背面用本专利技术的背面研磨方法研磨的半导体晶片的典型例子的透视图。图2是示出图1的半导体晶片的周边部分的截面图。图3是示出图1的半导体晶片放在吸盘上时的状态的截面图，在保护带粘贴到半导体晶片正面后半导体晶片背面朝向上方。图4是示出应用于图1的半导体晶片的外周边的一种方式的预处理的截面图。图5是示出应用于图1的半导体晶片的外周边的另一种方式的预处理的截面图。图6是示出在对其外周边进行预处理后研磨图1的半导体晶片背面的方式的截面图。图7是示出在其正面施加了保护涂层的半导体晶片的截面图。具体实施例方式参考附图详细介绍本专利技术的的优选图1和2示出采用了本专利技术的方法的半导体晶片的典型例子。可以用硅制成的半导体晶片2接近圆盘状，并具有弓形的外周边6，除了称为取向平面的直边4以外。可以设置称为取向刻痕的V形刻痕(未示)代替称为取向平面的直边4。多个矩形区域12由布置在半导体晶片2的正面8上的栅格图案中的多个道10划分界线。在每个矩形区域12中形成适当的电路。正如图2中清楚地显示，为了避免半导体晶片2的运输等期间在外周边6处发生的碎裂，半导体晶片2的弓形的外周边6通常成接近半圆形。因此，半导体晶片2的外周边部分14的截面形状接近半球形。直边4形成为基本垂直于正面8和背面16延伸的平表面或形成为像外周边6的接近半圆形。参考图3以及图1和2继续解释。在本专利技术的优选实施例中，当要研磨半导体晶片2的背面16使半导体晶片2具有预定厚度时，保护带18粘贴在半导体晶片2的正面8上。通常，保护带18在半导体晶片2的正面8的除了外周边部分14之外处粘贴，以便在外周边部分14上不存在保护带18。通过合适的粘合剂粘结到半导体晶片2的正面8的保护带18可以由合适的塑料薄膜或薄片、薄金属板或者薄陶瓷板制成。保护带18粘贴于半导体晶片2的正面8后，将半导体晶片2吸引到吸盘20的上表面22，半导体晶片2的背面16向上暴露。可以是本身公知的形式的吸盘20具有平的上表面22，在该上表面中形成有抽气孔或抽气凹槽(未示出)，真空吸引放在该上表面22上的半导体晶片2。正如通过参考图2可以理解，半导体晶片2的外周边6具有半圆的截面形状。因此，在半导体晶片2正面8的外周边部分14和吸盘20的上表面22之间存在一些间隙24。在本专利技术中，在研磨半导体晶片2的背面16之前对半导体晶片2的外周表面6进行预处理是很重要的，由此使半导体晶片2的外周边6形成为相对于背面16成θ角的平表面，80度≤θ≤100度，优选是85度≤θ≤95度。可以通过用旋转切割工具26切割半导体晶片2的外周边部分14来实行这种预处理，如图4所示。有利地，旋转切割工具26由本身众所周知的且包含金刚石研磨剂颗粒的薄壁环状刀片组成。旋转切割工具26安装在轴27上且以高速旋转驱动，其周边部分作用在半导体晶片2的外周边部分14上。吸盘20以预定速度旋转，因而使半导体晶片2的外周边部分14切割成弓形。如果吸盘20的旋转轴和旋转切割工具26的旋转轴互相垂直，半导体晶片2的被切割的外周边6形成为相对于背面16成90度的θ角的平面。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片背面研磨方法，该方法通过研磨装置研磨半导体晶片背面，由此使半导体晶片达到预定厚度，该半导体晶片具有形成在其正面上的多个电路并具有接近半圆截面形状的外周边，其特征在于：在研磨半导体晶片背面之前采用预处理，用于使该半导体晶 片的外周边形成相对于该半导体晶片背面成θ角的平表面，使得８０度≤θ≤１００度。

【技术特征摘要】
JP 2002-12-25 374230/2002;JP 2002-3-14 70773/20021.一种半导体晶片背面研磨方法，该方法通过研磨装置研磨半导体晶片背面，由此使半导体晶片达到预定厚度，该半导体晶片具有形成在其正面上的多个电路并具有接近半圆截面形状的外周边，其特征在于在研磨半导体晶片背面之前采用预处理，用于使该半导体晶片的外周边形成相对于该半导体晶片背面成θ角的平表面，使得80度≤θ≤100度。2.根据权利要求1的半导体晶片背面研磨方法，其中，85度≤θ≤95度。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：福田和哉，森俊，
申请(专利权)人：株式会社迪斯科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]