晶片分割方法和分割装置制造方法及图纸

一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线分割晶片的方法，所述晶片沿着分割线的强度降低，所述方法包括以下步骤：带贴附步骤，用于将一保护带贴附于晶片的一侧；晶片保持步骤，用于通过所述保护带在每个分割线两侧保持贴附在保护带上的晶片；以及折断步骤，用于通过沿着每个分割线吸附所述通过保护带保持的晶片而沿着每个分割线分割所述晶片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线分割晶片的方法。本专利技术还涉及一种分割装置。
技术介绍
在半导体器件的制造过程中，通过被称为“道”的分割线划分多个区域，分割线布置在大致盘形半导体晶片的前表面上的格子状图案中，电路例如IC或LSI被形成在每个划分区域中。通过沿着分割线切割半导体晶片将其分割成上面形成有电路的区域而生产独立的半导体芯片。包括层压在蓝宝石基板(sapphire substrate)前表面上的氮化镓化合物半导体的光学器件晶片也沿着预置的分割线切割成独立的光学器件，例如发光二极管或激光二极管，它们广泛用于电子设备中。沿着分割线切割上述半导体晶片或光学器件晶片通常是利用被称为“割片机(dicer)”的切割机进行的。这种切割机包括用于支承工件例如半导体晶片或光学器件晶片的大块工作台，用于切割被支承在大块工作台上的工件的切割装置，以及用于使大块工作台和工件彼此相对运动的切割进给装置。该切割装置包括旋转芯轴，安装在所述芯轴上的切割刀片以及旋转驱动该旋转芯轴的驱动机构。该切割刀片包括盘形基座和安装在该基座的侧壁外周部上的环形切割刃，所述环形切割刃通过将直径大约为3μm的金刚石磨粒利用电成型(electroforming)固定到该基座上而形成大约为20μm的厚度。由于蓝宝石基板、碳化硅基板等具有高的莫氏硬度，因此利用上述切割刀片切割不是很容易。另外，由于切割刀片厚度大约为20μm，划分器件的分割线必须具有大约50μm的宽度。因此，在尺寸为300μm×300μm的装置中，这些“道”占晶片的面积比率为14％，这样就存在生产率降低的问题。作为分割片状工件，例如半导体晶片的一种手段，目前希望使用一种激光加工方法，该方法施加能够穿过工件的脉冲激光束，其焦点设置在将要被分割的区域内部，其在日本专利3408805中被公开。在利用这种激光加工技术的分割方法中，通过施加能穿过工件的红外区域的脉冲激光束，其焦点设置在内部，从工件的一侧沿分割线在工件的内部连续形成变质层，并沿分割线施加外力(其强度已经由于形成变质层而减小)而将工件分割。为了通过沿着晶片的分割线施加外力而将具有沿着分割线连续形成有变质层的晶片分割成独立的芯片，本申请的申请人一种将晶片分割成独立芯片的技术，其是利用扩展一粘贴在晶片上的保护带而给予晶片拉伸力而实现的，如日本专利申请2003-361471所述。在通过扩展被安装在晶片上的保护带而给予晶片拉伸力的方法中，当粘贴到晶片上的保护带被扩展时，拉伸力径向作用在晶片上。因此，拉伸力相对于形成在格子状图案上的分割线以任意方向作用，从而晶片被不规则地分割，保留了未分割区域。当如上所述通过扩展保护带而沿着分割线分割晶片时，所述晶片具有被称为“测试元件组”的测试金属图案以测试在分割线上的各电路功能，则不规则力作用于上述金属图案，从而使金属图案被参差不齐地折断，产生破损并降低了每个器件的质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种沿着分割线精确可靠地分割晶片的方法和分割机，所述晶片沿着分割线的强度降低。根据本专利技术的一个方面，提供一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线分割晶片的方法，所述晶片沿着分割线的强度降低，所述方法包括以下步骤带贴附步骤，用于将一保护带贴附于晶片的一侧；晶片保持步骤，用于通过所述保护带在每个分割线两侧保持贴附在保护带上的晶片；以及折断步骤，用于通过沿着每个分割线吸附所述通过保护带保持的晶片而沿着每个分割线分割所述晶片。优选地，在所述晶片的分割线上形成薄膜，并且在折断步骤后执行扩展所述保护带的步骤，以使形成在晶片的分割线上的所述薄膜折断并被分割开。根据本专利技术的另一方面，提供一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线分割晶片的晶片分割装置，所述晶片沿着分割线的强度降低，所述晶片分割装置包括带保持装置，用于保持一个被贴附于晶片一侧的保护带；吸附力提供装置，用于通过所述保护带在每个分割线的两侧保持晶片，并通过所述保护带沿每个分割线吸附所述晶片，所述晶片通过所述保护带被保持在所述带保持装置上。所述吸附力提供装置包括晶片保持件，其具有朝向顶面开口的吸附槽以及形成在所述吸附槽两侧上的保持部分；吸附装置，其与所述晶片保持件的所述吸附槽相通。所述晶片分割装置还包括用于将所述晶片保持件和所述带保持装置定位在预定位置处的定位装置。所述保护带被安装在一环形支架上，并且所述带保持装置具有用于支承所述环形支架的支架保持装置。在本专利技术中，由于在每个分割线两侧通过保护带而被保持的晶片被沿着每个分割线吸附以便沿分割线被分割，所以晶片可以沿着强度降低的分割线被精确可靠地分割开。附图说明图1是将要通过本专利技术的晶片分割方法分割的半导体晶片的透视图；图2是在本专利技术的晶片分割方法中执行激光加工步骤的激光束加工机的主要部分的透视图；图3是一方框图，示出图2所示的激光束加工机中的激光束施加装置的构成；图4是说明脉冲激光束的焦点直径的示意图；图5(a)和图5(b)是在本专利技术的晶片分割方法中的激光加工步骤的一个实施例的示意图；图6(a)和图6(b)是在本专利技术的晶片分割方法中的激光加工步骤的另一实施例的示意图；图7是具有通过执行图6(a)和图6(b)所示的激光加工步骤形成的槽的半导体晶片的放大剖视图；图8是已经经过激光加工步骤并被放置在被安装在一环形支架上的保护带的表面上的半导体晶片的透视图；图9是在本专利技术的晶片分割方法中执行分割步骤的晶片分割装置的透视图； 图10是图9所示的分割装置的主要部分的分解透视图；图11是构成图9所示的分割装置的活动台和支架支承装置的剖视图；图12是构成图9所示的分割装置的吸力提供装置的晶片保持件的剖视图；图13是该主要部分的剖视图，其示出了一种状态，即，通过保护带支承半导体晶片的环形支架被保持在构成图8所示的分割装置的支架保持装置上；图14(a)和图14(b)示出本专利技术的晶片分割方法中的晶片保持步骤和折断步骤的示意图；图15是构成图9所示的分割装置的吸力提供装置的晶片保持件的另一实施例的主要部分的剖视图；图16是构成图9所示的分割装置的吸力提供装置的晶片保持件的另一实施例的主要部分的剖视图；图17是构成图9所示的分割装置的吸力提供装置的晶片保持件的另一实施例的主要部分的剖视图；图18是在本专利技术的晶片分割方法中执行保护带扩展步骤的带扩展装置的透视图；图19(a)和图19(b)是说明在本专利技术的晶片分割方法中的保护带扩展步骤的示意图；图20(a)和图20(b)是说明在本专利技术的晶片分割方法中的保护带扩展步骤的示意图。具体实施例方式下面参照附图描述本专利技术的晶片分割方法和分割机的优选实施例。图1是将要通过本专利技术的晶片分割方法分割的半导体晶片的透视图。图1所示的半导体晶片10是厚度为例如100μm的硅晶片，在硅晶片10的正面10a上的形成为格子状图案多条分割线101。电路102作为功能件形成在由硅晶片10的正面10a上的多条分割线101划分的多个区域中。下面将描述将该半导体晶片10分割成独立的半导体芯片的方法。为了将半导体晶片10分割成独立的半导体芯片，通过沿着分割线101施加能够穿过半导体晶片10的脉冲激光束，执行激光加工步骤，用于沿着分割线101在半导体晶片10的内部形成变质层，以减小半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线分割晶片的方法，所述晶片沿着分割线的强度降低，所述方法包括以下步骤：带贴附步骤，用于将一保护带贴附于晶片的一侧；晶片保持步骤，用于通过所述保护带在每个分割线两侧保持贴附在保护带上 的晶片；以及折断步骤，用于通过沿着每个分割线吸附所述通过保护带保持的晶片而沿着每个分割线分割所述晶片。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村胜，
申请(专利权)人：株式会社迪斯科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]