晶片分割方法技术

一种晶片分割方法，用于沿第一组相互平行延伸的多个芯片间隔和第二组相互平行延伸并垂直于第一组芯片间隔的多个芯片间隔来分割晶片，该晶片在其正面上具有多个由第一组芯片间隔和第二组芯片间隔划分出的矩形区域，该晶片分割方法包括一个在晶片正面沿该芯片间隔形成槽的槽成型步骤和一个在槽成型步骤之后磨削晶片背面的磨削步骤。由槽成型步骤形成的槽包括具有第一深度Ｄ１的槽和具有第二深度Ｄ２的槽，且第二深度Ｄ２大于第一深度Ｄ１（Ｄ２＞Ｄ１）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，用于将晶片沿一第一组多个相互平行延伸的芯片间隔和一第二组相互平行延伸并垂直于第一组芯片间隔的多个芯片间隔进行分割，该晶片在正面上由第一组芯片间隔和第二组芯片间隔划分成多个矩形区域。更具体地说，本专利技术涉及在所谓的先切割后磨削模式中用于分割晶片的，该模式包括沿晶片正面的芯片间隔来形成槽的槽成型步骤以及在槽成型步骤之后磨削晶片背面的磨削步骤。
技术介绍
在一个半导体器件的生产过程中，要在晶片的正面上通过网格图案的芯片间隔来形成多个矩形区域，即通过第一组相互平行延伸的多个芯片间隔和一第二组相互平行延伸并垂直于第一组芯片间隔的多个芯片间隔来形成，并且多个电路元件布置在各矩形区域上。该晶片沿芯片间隔分割，从而该晶片可以被分成单独的矩形区域，即半导体器件。如果必须特别使该半导体器件的厚度相当的小，则提出了一种称作先切割后磨削的模式来作为沿芯片间隔分割晶片的方法，如日本专利申请公开文本No.2003-17442中所公开的，已发现这种模式很实用。在这种模式下，沿晶片正面的芯片间隔形成槽，然后磨削晶片背面，从而使晶片的厚度大致等于或小于槽的深度，从而晶片可沿芯片间隔进行分割。然而，根据专利技术人的经验，已发现该先切割后磨削模式下的分割方法易发生破碎，特别是在所分开的单独矩形区域即半导体器件的拐角处。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个目的是改进在所谓的先切割后磨削模式中的，从而可以避免半导体器件的破碎。专利技术人对传统的进行了坚持不懈的研究，并认识到以下事实对于传统的，沿晶片正面的芯片间隔形成的所有槽基本都具有相同的深度。因而，通过磨削晶片背面来沿芯片间隔进行的分割基本上是沿所有芯片间隔同时进行的。在这种情况下，各单独分开的半导体器件轻微振动。由于这种振动而特别容易在半导体器件的拐角处发生破碎。基于这种认识，专利技术人沿晶片正面芯片间隔上设置至少两个深度的槽，并设计成使晶片通过磨削晶片背面来沿芯片间隔进行分割的过程不会沿所有芯片间隔同时进行，而是具有一个时间延迟，至少在两个阶段中进行。通过这样做，专利技术人发现可以实现上述目的。即，根据本专利技术可以实现上述目的的，提供了一种，用于沿第一组相互平行延伸的多个芯片间隔和第二组相互平行延伸并垂直于第一组芯片间隔的多个芯片间隔来分割晶片，该晶片在其正面上具有多个由第一组芯片间隔和第二组芯片间隔划分出的矩形区域，该包括一个在晶片正面沿该芯片间隔形成槽的槽成型步骤和一个在槽成型步骤之后磨削晶片背面的磨削步骤，和其中由槽成型步骤形成的槽包括具有第一深度D1的槽和具有第二深度D2的槽，且第二深度D2大于第一深度D1(D2＞D1)。优选地，沿第一组芯片间隔形成的槽具有第一深度D1，沿第二组芯片间隔形成的槽具有第二深度D2。还是优选地，沿第一组芯片间隔形成的槽包括具有第一深度D1的槽和具有第二深度D2的槽，且这些槽交替布置，类似地沿第二组芯片间隔形成的槽包括具有第一深度D1的槽和具有第二深度D2的槽，且这些槽交替布置。附图说明图1是一个晶片实例的透视图，该晶片采用根据本专利技术的分割方法。图2是一个透视图，其表示出了在槽成型步骤中沿图1所示晶片正面芯片间隔来形成槽的状态。图3是一放大了的局部透视图，其表示在槽成型步骤中槽已经沿图1晶片正面的芯片间隔形成了的状态。图4是一透视图，表示图2、图3所示晶片正面贴上一保护带的状态。图5是一放大了的局部透视图，表示图4所示晶片面朝下放置的状态，且晶片背面已进行磨削，以将晶片厚度减小为一预定值。图6是一放大了的局部透视图，表示晶片背面从图5所示状态又被进一步磨削从而再减小晶片厚度的状态。图7是是一放大了的局部透视图，表示在槽成型步骤的一个变形形式中沿图1中晶片正面的芯片间隔来形成槽的状态。具体实施例方式图1表示了一个采用本专利技术的晶片实例。图示晶片整体由附图标记2表示，其可以是一个硅片，整体为薄圆盘形状，除了直边4外为弧形边缘，该直边4称作定向平面。在晶片2的正面6上，通过第一组芯片间隔8a和第二组芯片间隔8b形成了多个矩形区域10。该第一组芯片间隔8a互相平行延伸，第二组芯片间隔8b也互相平行延伸。第二组芯片间隔8b垂直于第一组芯片间隔8a延伸。在各矩形区域10上设置适当的电路元件。在本专利技术的中，如图2所示，在磨削晶片2的背面11以减小晶片2厚度之前，进行一个在晶片2正面6上沿芯片间隔8a和8b形成槽12a和12b的槽成型步骤。该槽12a和12b的形成可通过一个切块机来进行，该切块机可以是例如前面提到过的日本专利申请公开文本No.2003-17442的图3中所示的切块机。这种切块机配备有一环形薄板形状且含有金刚砂的切割刃(未示出)。该切割刃高速旋转，作用在晶片2上。在这种状态下，晶片2与切割刃沿芯片间隔8a和8b相对移动，从而可在晶片2的正面6上形成槽12a和12b。若不通过这种带有切割刃的切块机来形成槽12a和12b，可以通过在晶片2上沿芯片间隔8a和8b施加脉冲激光束来形成槽12a和12b，正如本领域技术人员所公知的。在本专利技术的切割方法中，非常重要的一点是槽12a和12b包括具有至少两个深度的槽。进一步参考图3和图2，在图示实施例中，沿芯片间隔8a所形成的槽12a的深度都为D1。另一方面，沿芯片间隔8b所形成的槽12b的深度都为D2，且D2＞D1。D2与D1的差(D2-D1)优选为1至5μm量级的，特别是2到4μm量级的。在形成上述槽12a和12b之后，在晶片2的正面6上贴上一个保护带14，如图4所示。该保护带14可以是一种适合的合成树脂膜或片，例如一聚酯膜或片。然后，在晶片2的背面11进行一个磨削步骤。该磨削步骤可以优选通过一个磨床来进行，该磨床可以是例如前面提到过的日本专利申请公开文本No.2003-17442中图11所示的磨床。当用这种磨床来磨削晶片2的背面11时，晶片2被真空吸附在一个卡盘(未示出)上，其中带有保护带14的正面6向下，因而背面11向上暴露在外以进行磨削，正如本领域技术人员所公知的。在这种情况下，一个高速旋转的砂轮(未示出)作用在晶片2的背面11上。该砂轮具有一个含有金刚砂的磨削实施部分。如图5所示，磨削晶片2的背面11以将晶片2的厚度减小为槽12b的深度D2，而晶片2可以沿芯片间隔8b分割。当进一步磨削晶片2的背面11以将晶片2的厚度减小为槽12a的深度D1时，可以使晶片2沿芯片间隔8a分割，如图6所示。因此，可以单独分割出晶片2的矩形区域10。必要时，可以进一步磨削晶片2的背面11，以更加减小各矩形区域10的厚度。根据本专利技术的，当磨削晶片2的背面11时，晶片2沿槽12a和12b分割不会像传统的一样同时进行。相反，这些分割是首先沿槽12b分割晶片2，稍后再沿槽12a分割晶片2。因此，与传统的相比，各矩形区域10在磨削晶片2背面11过程中的振动被大大抑制住了，从而可有效地避免或抑制特别是在各矩形区域10拐角处的破碎。图7示出了在根据本专利技术的槽成型步骤中的一个变形实施例。在图7所示的变型实施例中，沿第一组芯片间隔8a形成的槽包括深度为D1的槽12a-a和深度为D2的槽12a-b，且槽12a-a和槽12a-b交替定位。类似地，沿第二组芯片间隔8b形成的槽包括深度为D1的槽12b-a和深度为D2的槽12b-b，且槽12b-a和槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片分割方法，用于沿第一组相互平行延伸的多个芯片间隔和第二组相互平行延伸并垂直于第一组芯片间隔的多个芯片间隔来分割晶片，该晶片在其正面上具有多个由第一组芯片间隔和第二组芯片间隔划分出的矩形区域，该晶片分割方法包括在晶片正面沿该芯片间隔形成槽的槽成型步骤和在槽成型步骤之后磨削晶片背面的磨削步骤，以及其中由槽成型步骤形成的槽包括具有第一深度Ｄ１的槽和具有第二深度Ｄ２的槽，且第二深度Ｄ２大于第一深度Ｄ１（Ｄ２＞Ｄ１）。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田纯，
申请(专利权)人：株式会社迪斯科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]