【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，用于将晶片沿一第一组多个相互平行延伸的芯片间隔和一第二组相互平行延伸并垂直于第一组芯片间隔的多个芯片间隔进行分割，该晶片在正面上由第一组芯片间隔和第二组芯片间隔划分成多个矩形区域。更具体地说，本专利技术涉及在所谓的先切割后磨削模式中用于分割晶片的，该模式包括沿晶片正面的芯片间隔来形成槽的槽成型步骤以及在槽成型步骤之后磨削晶片背面的磨削步骤。
技术介绍
在一个半导体器件的生产过程中，要在晶片的正面上通过网格图案的芯片间隔来形成多个矩形区域，即通过第一组相互平行延伸的多个芯片间隔和一第二组相互平行延伸并垂直于第一组芯片间隔的多个芯片间隔来形成，并且多个电路元件布置在各矩形区域上。该晶片沿芯片间隔分割，从而该晶片可以被分成单独的矩形区域，即半导体器件。如果必须特别使该半导体器件的厚度相当的小，则提出了一种称作先切割后磨削的模式来作为沿芯片间隔分割晶片的方法，如日本专利申请公开文本No.2003-17442中所公开的，已发现这种模式很实用。在这种模式下，沿晶片正面的芯片间隔形成槽，然后磨削晶片背面，从而使晶片的厚度大致等于或小于槽的深度，从而晶片可...
【技术保护点】
一种晶片分割方法，用于沿第一组相互平行延伸的多个芯片间隔和第二组相互平行延伸并垂直于第一组芯片间隔的多个芯片间隔来分割晶片，该晶片在其正面上具有多个由第一组芯片间隔和第二组芯片间隔划分出的矩形区域，该晶片分割方法包括在晶片正面沿该芯片间隔形成槽的槽成型步骤和在槽成型步骤之后磨削晶片背面的磨削步骤，以及其中由槽成型步骤形成的槽包括具有第一深度Ｄ１的槽和具有第二深度Ｄ２的槽，且第二深度Ｄ２大于第一深度Ｄ１（Ｄ２＞Ｄ１）。
【技术特征摘要】
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