一种全彩化主动式有机电激发光显示器及其制造方法。该全彩化主动式有机电激发光显示器包含一基板；多个多晶硅薄膜晶体管，形成于该基板之上；一缓冲层，形成于薄膜晶体管外的基板之上；一彩色滤光片形成于缓冲层之上；一平坦层，形成于彩色滤光层上；一第一电极形成于平坦层之上；一有机发光二极管材料层形成于第一电极上；以及一第二电极，形成于有机发光二极管材料层之上。其中，平坦层是以一低温制程技术所形成。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种主动式有机电激发光组件及其制造方法，特别是有关于一种全彩化主动式有机电激发光组件及其制造方法。
技术介绍
目前有机电激发光组件的全彩化方式有许多种，一般而言，由以三色发光层(RGB emitting layers)法及色彩转换(color changing)法为主要的趋势。其中，所谓的色彩转换层法，是利用一白色有机电激发光二极管数组搭配红色、蓝色及绿色的彩色滤光片，再以一电压驱动该有机电激发光二极管数组后，即产生全彩的效果。请参照图1，是显示一种现有全彩化主动式有机电激发光组件的剖面结构示意图，该全彩化主动式有机电激发光组件10包含一基板(active matrixsubstrate)12、多个薄膜晶体管20、红蓝绿三色滤光片32、34、36及多个白色有机发光二极管40。其中，该白色有机发光二极管40具有一ITO电极42形成于该彩色滤光片32、34、36上，并与该薄膜晶体管20的一漏极22电性连结。该彩色滤光片32、34、36是将经过的光分别转换成红、蓝、绿三色光，以使显示器全彩化。然而，请参照图2，为图1的区域A的剖面示意图，由于该主动式有机电激发光组件其像素结构的彩色滤光层32、34、36的表面37有一定粗糙度(Ra大约在20nm左右)，若直接于此等彩色滤光层32、34、36的表面上形成一ITO电极层42作为有机发光二极管40的阳极，则此ITO电极层42的表面平坦度将受彩色滤光层的影响，亦会形成Ra大约在20nm左右的粗糙表面43，不仅无法达到有机电激发光组件对电极表面平坦度的要求(Ra一般需小于10nm)，且容易导致尖端放电效应，造成有机组件的短路及漏电流的产生，进而影响有机激发光组件的效率及寿命。此外，由于一般彩色滤光层的材质为有机染料或是树脂，其耐热温度的上限约为350℃。因此若利用一具有较高操作温度(400℃)的镀膜方式，例如化学气相沉积法(CVD)，形成一ITO导电层于该彩色滤光层上时，过高的温度将使得该彩色滤光层的材质受热分解或扩胀，导致该彩色滤光层的损伤。为了符合目前市场上的需求，全彩化的主动式有机电激发光组件仍有一些问题需要克服。因此发展出高效能且稳定的全彩化有机发光显示器的整合制程与结构是有机发光显示器技术的一项重要课题。
技术实现思路
有鉴于此，为了解决上述问题，本专利技术的主要目的在于，在不损害彩色滤光层的前提下，提供一平坦层作为该透明电极层的载层，以解决因透明导电层其表面平均粗糙度过高所导致的发光效率下降及漏电流等问题，进而达到全彩化有机电激发光显示器效能的提升。此外，本专利技术的另一目的为提供一种全彩化主动式有机电激发光组件的制造方法，其是以低温制程方式形成一平坦层于该彩色滤光层之上，以形成本专利技术所述的高效能全彩化主动式有机电激发光组件。再者，本专利技术的又一目的是提供一种电子装置，其包含上述的全彩化主动式有机电激发光组件。为达成本专利技术的上述目的，本专利技术所述的全彩化主动式有机电激发光组件，其包含有多个数组的像素区域形成于一基板上，其中每一像素区域是包含有一缓冲层、一薄膜晶体管、一有机发光二极管、一平坦层及一彩色滤光层，其中有机发光二极管是包含有一第一电极与薄膜晶体管电性连结、一有机电激发光层与一第二电极。薄膜晶体管及缓冲层是形成于基板上，且彩色滤光层形成于缓冲层上。平坦层是形成于缓冲层上用来作为第一电极的载层。而第一电极、有机电激发光层与第二电极是依序形成于平坦层上。此外，平坦层可以一低温制程技术所形成。根据本专利技术所述的全彩化主动式有机电激发光组件，其中薄膜晶体管是包含有一栅极绝缘层、一栅极、一源极及一漏极，且栅极绝缘层是形成于栅极上，并与缓冲层相连。根据本专利技术所述的全彩化主动式有机电激发光组件，更包括一图形化的绝缘层形成于第一极电极上，以露出位于彩色滤光层上方的第一极电极。根据本专利技术所述的全彩化主动式有机电激发光组件，其中平坦层的表面粗糙度是不大于10nm。为达本专利技术所述的另一目的，本专利技术亦提供一种全彩化主动式有机电激发光组件的制造方式。首先，提供一基板，并形成多个薄膜晶体管及一缓冲层于基板之上，其中薄膜晶体管是包含有一栅极绝缘层、一栅极、一源极及一漏极。接着，形成一彩色滤光层于缓冲层上。接着，以一低温制程技术形成一平坦层于彩色滤光层上。最后，形成一第一极电极于平坦层上，并与薄膜晶体管电性连结。根据本专利技术所述的全彩化主动式有机电激发光组件的制造方式，低温制程技术具有一操作温度，上述的操作温度是不大于350℃根据本专利技术所述的全彩化主动式有机电激发光组件的制造方式，在形成第一电极于平坦层后，更包括形成一图形化的绝缘层于第一电极上以露出位于该彩色滤光层上方的第一极电极。为达本专利技术所述的另一目的，本专利技术亦提供一种电子装置，其包括一本专利技术所述的全彩化主动式有机电激发光组件，以及一电源供应单元，其中有机电激发光组件耦接至上述显示系统，用以供电至上述全彩化主动式有机电激发光组件。附图说明图1是显示现有全彩化主动式有机电激发光组件的剖面示意图。图2是显示图1的区域A的剖面放大示意图。图3是显示根据本专利技术所述的全彩化主动式有机电激发光组件的一较佳实施例的平面概要示意图。图4a至图4e是一系列对应于图3B-B’切线的剖面结构示意图，显示根据本专利技术所述全彩化主动式有机电激发光组件的一较佳实施例的制作流程。图5是显示图4e的区域C的剖面放大示意图。图6为具有本专利技术的全彩化主动式有机电激发光组件的电子装置的示意图。符号说明 10～有机电激发光组件；12～基板；20～薄膜晶体管；32～红色彩色滤光层；34～绿色彩色滤光层；36～蓝色彩色滤光层；37～彩色滤光层的上表面；40～白光有机发光二极管；42～ITO电极；43～ITO电极的上表面；A～区域A。100～有机电激发光组件的像素区域；101、107～薄膜晶体管；102～资料线；103～电容；105～有机发光二极管；110～基板；112～缓冲层；113～彩色滤光层预定区；114～彩色滤光层；115～彩色滤光层的上表面；116～平坦层；117～平坦层的上表面；118～透明电极；119～透明电极的上表面；121～栅极；123～介电层；124～半导体层；125～源极；126～漏极；140～绝缘层；142～有机电激发光层；144～金属电极；200～电子装置；210～外壳；300～主动式有机电激发光组件；400～电源供应单元；B-B’～延B-B’的剖面线；C～区域C。具体实施例方式为使本专利技术的上述目的、特征能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下一种全彩化主动式有机电激发光组件，是制作单色发光像素结构，透过彩色滤光片过滤而得到红、蓝、绿三种光色。此外，本专利技术可在不损害该彩色滤光片的前提下，提供一平坦层作为该透明电极层的载层，以解决因透明导电层其表面平均粗糙度过高所导致的发光效率下降及漏电流等问题。以下为本专利技术所述的全彩化主动式有机电激发光组件的制造方法的一较佳实施例，兹配合附图详细说明如下实施例请参照图3，是显示符合本专利技术所述的全彩化主动式有机电激发光组件的一较佳实施例的像素区域平面概要示意图，该像素区域100主要包含有一薄膜晶体管101耦接于一沿Y方向延伸的数据线102、一电容储存器103、一有机发光二极管10本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种全彩化主动式有机电激发光组件的制造方法，其包含有下列步骤：提供一基板；形成多个薄膜晶体管及一缓冲层于该基板之上；形成一彩色滤光层于该缓冲层上；以一低温制程技术形成一平坦层于该彩色滤光层上；以及形成 一第一极电极于该平坦层上，并与该薄膜晶体管电性连结。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡耀铭，薛玮杰，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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