【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，在该方法中切割在一面上形成有多个电子电路的晶片，由此将晶片分成多个半导体芯片。
技术介绍
近来要求电子仪器仪表越来越小和越来越轻，因此希望在电子仪器仪表中使用的半导体封装以及由此结合在半导体封装内的半导体芯片制得小而轻。这就需要由其获得半导体芯片的晶片在切割之前具有很小的厚度，例如50微米或更小。当如硅晶片的晶片形成得具有如50微米或更小的很小厚度时，会产生问题。例如，从形成到切割的步骤期间，这种薄晶片会破裂。为此，现已提出了处理和切割薄晶片同时不会损伤它的各种构思。例如，如JP 2000-306875 A中介绍的，晶片上形成有电路的一面施加有切割带，通过切割带将晶片的该面吸到真空吸盘台上，通过研磨与电路形成面相对的晶片背面减薄晶片(JP 2000-306875 A的图9和0031-0033段落)。随后，通过在沿用于晶片的切割线形成的划线(标记)处用红外线穿过晶片照射它的背面、使用红外照相机观察划线以及沿划线控制和移动切割锯来切割晶片(JP 2000-306875 A的图10和11以及0037-0038段落)。根据JP 2000-306875 ...
【技术保护点】
一种切割晶片的方法，其中在一面上形成有多个电子电路的晶片被切割成各个半导体芯片，该方法包括以下步骤：用光敏抗蚀剂层涂覆与形成有多个电子电路的一面相对的晶片的另一面，沿用于随后切断晶片的切割线，在形成有电子电路的一面，用能够穿 过晶片的辐射线照射光敏抗蚀剂层使其曝光，显影光敏抗蚀剂层，由此沿切割线选择性地除去抗蚀剂层被曝光的那部分的材料，以及在与形成有多个电子电路的一面相对的另一面上蚀刻晶片以沿着切割线切割晶片。
【技术特征摘要】
JP 2003-1-20 011336/20031.一种切割晶片的方法，其中在一面上形成有多个电子电路的晶片被切割成各个半导体芯片，该方法包括以下步骤用光敏抗蚀剂层涂覆与形成有多个电子电路的一面相对的晶片的另一面，沿用于随后切断晶片的切割线，在形成有电子电路的一面，用能够穿过晶片的辐射线照射光敏抗蚀剂层使其曝光，显影光敏抗蚀剂层，由此沿切割线选择性地除去抗蚀剂层被曝光的那部分的材料，以及在与形成有多个电子电路的一面相对的另一面上蚀刻晶片以沿着切割线切割晶片。2.根据权利要求1的方法，其中通过干蚀刻切割晶片。3.根据权利要求1的方法，还包括在切割晶片的步骤之后，从晶片上除去光敏抗蚀剂层的步骤。4.根据权利要求1的方法，其中光敏抗蚀剂层由正型光敏材料形成。5.根据权利要求4的方法，其中正型光敏材料为X射线敏感或红外敏感材料。6.根据权利要求1的...
【专利技术属性】
技术研发人员：坂口秀明，东光敏，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。