【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种研磨外周倒角后的半导体晶片并在背面上粘贴粘接薄膜的方法。
技术介绍
在表面上形成了多个IC和LSI等电路的半导体晶片因为由脆性部件构成，为了防止表面上制作电路的过程中损伤，所以形成其厚度有某种厚度(例如600μm左右)，同时外周侧部倒角形成圆弧形等，通过在电路形成后研磨背面，形成规定的厚度(例如，参照专利文献1)。近年来，因为谋求各种电子机器的薄型化、小型化，要求极其之薄地形成半导体晶片的厚度为100μm以下、50μm以下。有时候通过背面研磨给形成了规定厚度的半导体晶片背面，粘贴称作小片附着膜的粘接薄膜。该粘接薄膜，在多个层叠半导体芯片的场合，或实现作为半导体芯片间的粘接剂的任务或实现作为在引线框架和在插入式选择指(インタポ一ザ)上焊接半导体芯片时粘接剂的任务，粘贴后通过加热与半导体晶片成为一体(例如，参照专利文献2) 。但是，有600μm左右厚度的半导体晶片外周侧部如果倒角成圆弧状，通过用背面的研磨法而使之徐徐变薄(例如，厚度200μm左右)形成，外周侧部成了像刀状一样的锐角形状(刀状边缘)，进而研磨背面减薄(例如，厚度100μm以下)形...
【技术保护点】
一种半导体晶片的加工方法，由划道所区分在表面上形成多个电路，研磨外周面倒角的半导体晶片背面，把半导体晶片形成为规定厚度以后，该半导体晶片背面上粘贴粘接薄膜使该粘接薄膜和该半导体晶片形成一体，其特征是至少包括：该半导体晶片的外周面制成 大致垂直面状的外周壁的外周壁形成工序；给该半导体晶片的表面粘贴保护构件，研磨该半导体晶片背面而形成规定厚度的研磨工序；以及给该半导体晶片背面粘贴粘接薄膜，加热使该半导体晶片和该粘接薄膜形成一体的形成一体工序。
【技术特征摘要】
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