双极性晶体管及其制造方法技术

根据本发明专利技术方法使制造一种具低基极连接电阻、低缺陷密度及改良的可缩放性的双极性晶体管为可行。在此情况下要了解可缩放性系指射极窗的侧壁缩放及基极宽度（低温度预算）的垂直缩放，在基极区域，该温度预算可被保持为低的，因不需要植入以减少该基极连接电阻。而且，伴随点状缺陷的困难被大部分避免。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系关于一种双极性晶体管，而且，本专利技术系关于一种制造双极性晶体管的方法。双极性晶体管一般由两个在半导体晶体接近放置的pn接点构成，在此情况下，两个n-掺杂区域由一个p-掺杂区域彼此电绝缘<一般称为npn晶体管>，或是两个p-掺杂区域由一个n-掺杂区域彼此电绝缘<一般称为pnp晶体管>。三种不同掺杂的区域被指定为射极<E>、基极<B>及集极<C>。双极性晶体管已被知晓一段长时间且以多种方式被使用。差异与一般称的个别晶体管，其意欲被用于装设在印刷电路板会其类似物上且被容纳于其自己的外框内，及一般称的积体晶体管，其与其它半导体组件一起于共同半导体载体<一般称为基材>上制造。双极性晶体管的最大振动频率fmax系正比于fT的平方根除以8πRBCBC，其中RB为基极电阻，CBC为基极-集极电容，且fT为跳变频率。所以为得到高的振动频率，希望减少基极电阻，双极性晶体管的基极电阻由连接区域的电阻及基极掺杂分布的薄膜电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造双极性晶体管，特别是ｎｐｎ双极性晶体管的方法，其具下列步骤：　　　　ａ）一种具集极、基极及轻掺杂射极层的半导体基材被提供；　　　　ｂ）一种屏蔽被供应至该轻掺杂射极层；　　　　ｃ）该轻掺杂射极层在屏蔽协助下被湿化学蚀刻，由此形成一种轻掺杂射极；　　　　ｄ）基极连接在该基极的未覆盖区域上形成；　　　　ｅ）该屏蔽被移除及高度掺杂射极被形成。

【技术特征摘要】
DE 2001-2-2 10104776.21.一种制造双极性晶体管，特别是npn双极性晶体管的方法，其具下列步骤a)一种具集极、基极及轻掺杂射极层的半导体基材被提供；b)一种屏蔽被供应至该轻掺杂射极层；c)该轻掺杂射极层在屏蔽协助下被湿化学蚀刻，由此形成一种轻掺杂射极；d)基极连接在该基极的未覆盖区域上形成；e)该屏蔽被移除及高度掺杂射极被形成。2.根据申请专利范围第1项的方法，其特征在于一种高度掺杂的硅-锗基极被用做该基极。3.根据申请专利范围第1或2项的方法，其特征在于该屏蔽包括氧化物层、硅化物层及氮化物层。4.根据先前申请专利范围其中一项的方法，其特征在于该轻掺杂射极层使用碱性蚀刻剂，特别是KOH、氯及/或乙烯二胺，被湿化学地蚀刻。5.根据先前申请专利范围其中一项的方法，其特征在于该轻掺杂射极层在基极上形成做为基本上单晶质层且湿化学蚀刻终止于在该基本上单晶质层的(111)面。6.根据先前申请专利范围其中一项的方法，其特征在于一侧壁间隔物，较佳为氮化物间隔物，系在该屏蔽的侧壁的湿化学蚀刻前被产生。7.根据申请专利范围第1至5项其中一项的方法，其特征在于一侧壁间隔物，较佳为氮化物间隔物，系在该屏蔽的侧壁的基极连接及轻掺杂射极形成前被产生。8.根据先前申请专利范围其中一项的方法，其特征在于该基极连接系藉由在基极的未覆盖区域上的选择磊晶而形成。9.根据先前申请专利范围其中一项的方法，其特征在于一侧壁间隔物，较佳为氮化物间隔物，系在该射极窗的...

【专利技术属性】
技术研发人员：M弗拉诺斯，T梅斯特，H谢弗，R斯坦尔，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]