【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
发射极使用带隙大的半导体的异质结双极型晶体管(Heterojiunction Bipolar TransistorHBT)，已用作诸如便携式电话机中使用的高频模拟元件。特别是发射极使用InGaP的InGaP/GaAs HBT的温度依赖性小，可以预想作为高可靠性元件，其使用方法今后将越来越多。以下，用图来说明普通的InGaP/GaAs HBT元件的结构及其制造方法(例如，参照专利文献1日本特开2000-260783号公报)。图1是表示npn型InGaP/GaAs HBT结构的剖面图。如图1所示，InGaP/GaAs HBT由以下几部分构成半绝缘性的GaAs半导体衬底400；在半导体衬底400上以高浓度掺杂n型杂质而形成的n+型GaAs子集电极层410；在子集电极层410的预定区域上形成的成凸状的第1阶梯层420；在第1阶梯层420上的预定区域上形成的第2阶成凸状的第2阶梯层430；在第2阶梯层430上形成的由诸如Ti/Pt/Au构成的发射极电极440；作为诸如包含Pt的多层金属的基极电极450，它是在第2阶梯层430周边所露出的第...
【技术保护点】
一种异质结双极型晶体管，其特征是具备：由ＧａＡｓ构成的ｎ型子集电极层；在上述子集电极层上形成的、由比上述子集电极层的雪崩系数小的半导体材料构成的ｎ型第１集电极层；在上述第２集电极层上形成的、由比上述子集电极层的杂质浓 度低的ｎ型或者ｉ型ＧａＡｓ构成的第２集电极层；在上述第２集电极层上形成的、由ＧａＡｓ构成的ｐ型基极层；及在上述基极层上形成的、由比上述基极层的带隙大的半导体材料构成的ｎ型发射极层。
【技术特征摘要】
JP 2003-6-30 186827/2003;JP 2003-10-7 348750/20031.一种异质结双极型晶体管，其特征是具备由GaAs构成的n型子集电极层；在上述子集电极层上形成的、由比上述子集电极层的雪崩系数小的半导体材料构成的n型第1集电极层；在上述第2集电极层上形成的、由比上述子集电极层的杂质浓度低的n型或者i型GaAs构成的第2集电极层；在上述第2集电极层上形成的、由GaAs构成的p型基极层；及在上述基极层上形成的、由比上述基极层的带隙大的半导体材料构成的n型发射极层。2.如权利要求1所记载的异质结双极型晶体管，其特征是上述第1集电极层具有不低于1×1017cm-3的杂质浓度。3.如权利要求1所记载的异质结双极型晶体管，其特征是上述第1集电极层具有小于200nm的膜厚。4.如权利要求1所记载的异质结双极型晶体管，其特征是上述第1集电极层的杂质浓度从与上述子集电极层接触的界面向与上述第2集电极层接触的界面的方向降低。5.如权利要求1所记载的异质结双极型晶体管，其特征是上述异质结双极型晶体管还具有在上述第1集电极层和上述第2集电极层之间形成的半导体层，上述半导体层缓和上述第1集电极层和上述第2集电极层之间导带的不连续。6.如权利要求5所记载的异质结双极型晶体管，其特征是上述半导体层是由与上述第1集电极层或者第2集电极层相同的半导体材料构成的、具有不大于1×1018cm-3的杂质浓度的n型隔离层。7.如权利要求1所记载的异质结双极型晶体管，其特征是上述第1集电极层由InxGa1-xP(0.47≤x≤0.52)构成。8.如权利要求7所记载的异质结双极型晶体管，其特征是上述第1集电极层具有无序的结构。9.如权利要求1所记载的异质结双极型晶体管，其特征是上述发射极层由InxGa1-xP(0.47≤x≤0.52)构成。10.如权利要求1所记载的异质结双极型晶体管，其特征是上述第1集电极层由AlyGa1-yAs(0≤y≤1)构成。11.如权利要求10所记载的异质结双极型晶体管，其特征是上述第1集电极层的Al的组成比y从与上述子集电极层接触的界面向与上述第2集电极层接触的界面成阶梯变化。12.如权利要求10所记载的异质结双极型晶体管，其特征是上述发射极层由AlyGa1-yAs(0≤y≤1)构成。13.如权利要求5所记载的异质结双极型晶体管，其特征是上述半导体层具有n...
【专利技术属性】
技术研发人员：村山启一，田村彰良，能米雅信，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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