异质结双极晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术揭示一种异质结双极晶体管及其制造方法，对外部基极区下的集电极区进行离子注入，并且在其上部的外部基极区上设置电容膜（１１０）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用作高频模拟元件的异质结双极晶体管及异质结双极晶体管的制造方法。
技术介绍
在发射极中采用带隙大的半导体的异质结双极晶体管(Hetero-junctionBipolar TransistorHBT)作为便携电话等中用的高频模拟元件已付诸实用。尤其是发射极采用InGaP的InGaP/GaAs HBT，其温度依赖性小，作为高可靠性器件，预计其使用方法今后越来越多。近年来，InGaP的InGaP/GaAs类HBT的用途扩大，即使限于便携电话发送放大器，也在研究不仅作为已有CDMA制式的终端发送部功率器件、而且作为GSM制式的该器件付诸实用。将已有的HBT用作高输出晶体管时，将HBT作为1个单元并联5个～100个左右的HBT。然而，由于工作状态偏差、热分布偏差等，多个HBT中温度升高的程度产生差异。这时，温度高的HBT的发射极电流增大，进而使温度升高，最后发生热失控并损坏。输出越大，这种趋势越显著，在面向输出大的GSM的HBT中，尤其成问题。作为一般应对措施，采取在各HBT的基极输入端子配置稳流电阻以改善工作均匀性的手段。然而，单纯配置稳流电阻时，由于高频输入信号通过稳流电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种异质结双极晶体管，在衬底上叠积半导体层而形成，其特征在于，包括在所述衬底上形成的第１导电型子集电极层、在所述子集电极层上形成的第１导电型集电极层、形成在所述集电极层上并由本征基极区和外部基极区构成的第２导电型基极层、在所述本征基极区上形成的第１导电型发射极层、在所述外部基极区上形成的电容膜、在所述电容膜上形成的上部电极、以及在所述外部基极区上形成的第１基极，并且离子注入所述电容膜的下层的所述子集电极层与所述集电极层。

【技术特征摘要】
JP 2005-5-26 2005-1532061.一种异质结双极晶体管，在衬底上叠积半导体层而形成，其特征在于，包括在所述衬底上形成的第1导电型子集电极层、在所述子集电极层上形成的第1导电型集电极层、形成在所述集电极层上并由本征基极区和外部基极区构成的第2导电型基极层、在所述本征基极区上形成的第1导电型发射极层、在所述外部基极区上形成的电容膜、在所述电容膜上形成的上部电极、以及在所述外部基极区上形成的第1基极，并且离子注入所述电容膜的下层的所述子集电极层与所述集电极层。2.如权利要求1中所述的异质结双极晶体管，其特征在于，利用离子注入，使所述电容膜的下层的子集电极层与所述集电极层电绝缘。3.如权利要求1中所述的异质结双极晶体管，其特征在于，将所述第1基极形成在离开所述外部基极区的与所述本征基极区的边界一定距离的区域。4.如权利要求1中所述的异质结双极晶体管，其特征在于，在所述外部基极区的与本征基极区的边界附近形成第2基极区，而且在所述第1基极与所述第2基极之间形成所述电容膜。5.如权利要求4中所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述第2基极的下层是非离子注入区。6.如权利要求1中所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述电容膜是第1导电型半导体材料。7.如权利要求1中所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述电容膜将所述发射极层形成得直到所述外部基极区。8.如权利要求1中所述的异质结双极晶体管，其特征在于，所述电容膜是InGaP、AlGaAs。9.如权利要求1中所述的异质结双极晶体管，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：村山启一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]