半导体器件及其制备方法技术

集电区（１０２）上形成有起基区之作用且由ｉ－Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］层和Ｐ↑［＋］Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］层构成的Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］层（１１１ｂ），且在Ｐ↑［＋］Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］层上设置会成为发射区的Ｓｉ覆盖层（１１１ａ）。在基区开口部分（１１８）内Ｓｉ覆盖层（１１１ａ）之上形成有发射区引出电极（１２９），它又包括形成在含有其浓度在它在单晶硅中的固溶度以下的磷的Ｎ↑［－］多晶硅层（１２９ｂ）和含有高浓度磷的Ｎ↑［＋］多晶硅层（１２９ａ）。抑制了高浓度的磷（Ｐ）过分地掺杂到Ｓｉ覆盖层（１１１ａ）中，而将基区层内杂质的浓度分布维持得很合适。Ｓｉ覆盖层（１１１ａ）的上部可含有Ｐ型杂质。ＮＰＮ型双极晶体管中基区层内的Ｐ型杂质的浓度分布被维持得很合适。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及如何使异质双极型晶体管或者含有它的Bi-CMOS器件中的杂质浓度分布非常合适。
技术介绍
近年来，人们正在以迅猛的速度进行以下技术开发，即通过让形成在硅衬底上的双极型晶体管包含Si/SiGe、Si/SiC等异质结结构，而使异质双极型晶体管(HBT)的传导特性更优良且又可在高频区操作。该HBT乃是一种在Si衬底上外延生长SiGe层并利用该Si/SiGe异质结结构的晶体管，利用了该结构以后，就能得到在已往只有使用GaAs等化合物半导体衬底的晶体管才能操作的高频区域下也能操作的晶体管。且因该HBT由Si衬底、SiGe层这样的和通用硅工艺相容性极佳的材料构成，故其优点为集成度高、成本低。尤其是，若让HBT和MOS晶体管(MOSFET)形成在同一个Si衬底上这样来集成它们，就能得到高性能的Bi-CMOS器件，该Bi-CMOS器件作为可用在通信方面的系统LSI是很有前途的。于是，到目前为止，提出并试制了含有Si/Si1-xGex或Si/Si1-yCy等异质结结构的HBT作为Bi-CMOS器件中的双极型晶体管。且其中，Si/Si1-xGex型HBT在可利用Si和Ge基本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，它包括：含有起集电区之作用的Ｎ型第一单晶半导体层的衬底；形成在所述第一单晶半导体层上、含有Ｐ型杂质且起基区之作用的Ｐ型第二单晶半导体层；及形成在所述第二单晶半导体层上、其上部起发射区之作用的并由Ｓｉ构 成的第三单晶半导体层；所述第三单晶半导体层中起发射区之作用的上部含有Ｐ型杂质以及Ｎ型杂质，所述上部含有的Ｐ型杂质的浓度高于所述第二单晶半导体层中含有的Ｐ型杂质的浓度，所述上部含有的Ｎ型杂质的浓度高于所述上部含有的Ｐ型 杂质的浓度。

【技术特征摘要】
JP 2000-5-12 2000-1402921.一种半导体器件，它包括含有起集电区之作用的N型第一单晶半导体层的衬底；形成在所述第一单晶半导体层上、含有P型杂质且起基区之作用的P型第二单晶半导体层；及形成在所述第二单晶半导体层上、其上部起发射区之作用的并由Si构成的第三单晶半导体层；所述第三单晶半导体层中起发射区之作用的上部含有P型杂质以及N型杂质，所述上部含有的P型杂质的浓度高于所述第二单晶半导体层中含有的P型杂质的浓度，所述上部含有的N型杂质的浓度高于所述上部含有的P型杂质的浓度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一单晶半导体层为Si层；所述第二单晶半导体层为SiGe层。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一单晶半导体层为Si层；所述第二单晶半导体层为SiGeC层。4.一种半导体器件的制备方法，它包括工序(a)，让起基区之作用的P型第二单晶半导体层外延生长在衬底上的起集电区之作用的N型第一单晶半导体层上；工序(b)，让第三单晶半...

【专利技术属性】
技术研发人员：大西照人，浅井明，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]