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集电区（１０２）上形成有起基区之作用且由ｉ－Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］层和Ｐ↑［＋］Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］层构成的Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］层（１１１ｂ），且在Ｐ↑［＋］Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］层上设置会成为发射区的Ｓｉ覆盖层...
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