自我对准的双极性结型晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术是一种自我对准的双极性结型晶体管及其制造方法。在半导体基板上形成一第一基极区、一发射极区和一第二基极区，形成各邻近于发射极区的一对氮化硅间隔物，用具有第一导电型的杂质掺杂第一与第二基极区，除去氮化硅间隔物，发射极区形成小于或等于０．３０μｍ的凹槽区去除的间隔物的区域中，用绝缘物填满上述凹槽，用具有第二导电型的杂质掺杂上述发射极区，以形成自我对准的双极性晶体管，不但寄生参量减少，组件大小也被缩小。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于半导体装置。特别地，有关于自我对准的双极性结型晶体管(BJT/bipolar junction transistor)及其制造方法。一传统的双极性晶体管10显示在图1中。装置被构成在硅基板12上图解地它是P-型。一埋藏的N+层14位置在基板12上以及一N-型集极区16位置在埋藏的N+层14上。此外，多数场氧化层(FOX)区18被形成在基板上。一N+深的连接区20连接基板表面到埋藏的N+层14，形成一集极接触。一P-型基极区22被形成在N-型井16中，它构成基极。两个P+-型基极接触区24和26被形成在基极22的两侧上。发射极28包括N+掺杂的多晶硅或多晶金属硅化物区30形成在基板的表面上。发射极28也包括N+扩散区29。在N+多晶硅区30的两侧上有氧化硅间隔物32。两个金属接触36和38连接到P+掺杂的基极接触区24和26。一金属接触40连接到深的集极连接区20，与N+掺杂的集极埋藏层14连接。一金属接触41连接到发射极28。金属接触36、38、40和41被形成在一层间绝缘(inter-layer-dielectric/ILD)层42的开口中。整个的结构是一N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自我对准的双极性结型晶体管的制造方法，其特征是：包括下列步骤：形成一第一基极区、一发射极区和一第二基极区在半导体基板上；形成各邻近于上述发射极区的一对氮化硅间隔物；用具有第一导电型的杂质掺杂上述第一与第二基极区；除去上述 氮化硅间隔物对；经过上述射极区形成凹槽区在去除的间隔物的区域中；用绝缘物填满上述凹槽；以及用具有第二导电型的杂质掺杂上述射极区，以形成自我对准的双极性晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种自我对准的双极性结型晶体管的制造方法，其特征是包括下列步骤形成一第一基极区、一发射极区和一第二基极区在半导体基板上；形成各邻近于上述发射极区的一对氮化硅间隔物；用具有第一导电型的杂质掺杂上述第一与第二基极区；除去上述氮化硅间隔物对；经过上述射极区形成凹槽区在去除的间隔物的区域中；用绝缘物填满上述凹槽；以及用具有第二导电型的杂质掺杂上述射极区，以形成自我对准的双极性晶体管。2.如权利要求1所述的自我对准的双极性晶体管的制造方法，其特征是其中形成上述氮化硅间隔物的步骤包括下列步骤沉积一氮化硅层在第一基极区、发射极区和第二基极区上；以及蚀刻上述氮化硅层，以形成间隔物。3.如权利要求1所述的自我对准的双极性晶体管的制造方法，其特征是更进一步包括下列步骤在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文岳，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]