具多晶硅发射极双极性晶体管的制造方法技术

在制造具多晶硅射极双极性晶体管的发明专利技术方法中，首先系产生一第一导电类型的集极区域、以及与其相毗连的一第二导电类型的基极区域。然后至少一绝缘材料层将被涂覆，其中该至少一绝缘材料层被图样化，使得该基极区域的至少一区段被暴露出。接着，产生以掺杂原子进行重度掺杂的第一导电类型的复晶半导体材料层，使得该暴露的区段被实际地覆盖。于是，在该复晶半导体材料层上产生第二高导电材料层，进而以其形成一射极双层。于其上，引起该重度掺杂的复晶半导体层第一导电类型的至少部分掺杂原子系进入该基极区域，以产生该第一导电类型的一射极区域。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本案系为与半导体装置的制造有关的专利技术，尤指与具多晶硅射极的双极性晶体管的制造有关的专利技术，其中该多晶硅射极乃具有被减少的射极电阻。
技术介绍
多晶硅射极已被应用在被设计用来执行高功率与高速的双极性晶体管中。在关于具多晶硅射极的双极性晶体管的理论与试验方面的关系乃可参考赛尔瓦库莫尔(C.R.Selvakumar)先生于1988年发表在美国电子电机工程学会会刊(IEEE Press)第3-16页中的文章”多晶硅射极双极性晶体管的理论与试验(Theoretical and Experimental Aspectsof Polysilicon Emitter Bipolar Transistors)”。因此，一个具多晶硅射极的双极性晶体管的实施例乃提供了一个位于基极(basis)上的重度掺杂多晶硅层，其可作为产生一平板(射极(emitter)/基极(basis))半导体过渡态的扩散源(diffusion source)，并可作为与该平板射极相接触的设备。在执行传统制造基极区域以及射极窗开口的处理步骤之后，未被掺杂(non-doped)或是被掺杂的多晶硅将被使用，而假使使用的是非掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造具有多晶硅射极双极性晶体管的方法，其包含：产生一第一导电类型的集极区域（１２）以及与其毗连的一第二导电类型的基极区域（１４）；涂覆至少一绝缘材料层（１６），与图样化该至少一绝缘材料层（１６）使得该基极区域（１４）的至 少一区段被暴露出；产生一第一导电类型的复晶半导体材料层（１８），其系以掺杂原子进行重度掺杂，使得该暴露的区段被实际地覆盖，以及产生在该复晶半导体材料的第一层（１８）上的第二高导电材料层（２０），进而以其产生一射极双层；以及引 起重度掺杂的复晶层（１８）第一导电类型的至少部分掺杂原子进入该基极区域（１４），以产生该...

【技术特征摘要】
DE 2001-7-13 10134089.31.一种制造具有多晶硅射极双极性晶体管的方法，其包含产生一第一导电类型的集极区域(12)以及与其毗连的一第二导电类型的基极区域(14)；涂覆至少一绝缘材料层(16)，与图样化该至少一绝缘材料层(16)使得该基极区域(14)的至少一区段被暴露出；产生一第一导电类型的复晶半导体材料层(18)，其系以掺杂原子进行重度掺杂，使得该暴露的区段被实际地覆盖，以及产生在该复晶半导体材料的第一层(18)上的第二高导电材料层(20)，进而以其产生一射极双层；以及引起重度掺杂的复晶层(18)第一导电类型的至少部分掺杂原子进入该基极区域(14)，以产生该第一导电类型的一射...

【专利技术属性】
技术研发人员：J克里滋，M塞克，A蒂尔科，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]