半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具备：具有倾斜部和平坦部的元件分离膜、不在元件分离膜的倾斜部上形成而在平坦部上形成的保护膜、自被元件分离膜包围的活性区域的表面上横跨保护膜上形成的外部基极层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。技术背景近年来，伴随移动电话、个人用移动信息终端(PDA )、数码摄像机(DVC ) 及数码相机(DSC)这样的便携式电子设备的高性能化，正在寻求实现高集 成化及高速化的系统LSI。而且，作为实现高速动作的系统LSI的模块，基极 层由硅锗(SiGe)构成的半导体装置(异质结双极晶体管)备受关注。图13是现有的异质结双极晶体管的构造之一例。在现有的异质结双极晶 体管中，在p型硅半导体衬底101上形成有集电极层102。在集电极层102 的上部形成有元件分离膜103,其利用LOCOS (Local Oxidation of Silicon: 硅的局部氧化)法形成，且具有倾斜部103a及平坦部103b。在元件分离膜 103的表面上形成有由氧化硅膜(〕y膜)104及多晶硅膜105这两层构 造构成的保护膜109，使其覆盖倾斜部103a及平坦部103b。在被元件分离膜 103包围的区域(活性区域A)上及保护膜109上形成有SiGe层106 ( 106a 及106b)。在SiGe层106a上形成有硅膜107 ( 107a及107b )。另外，由SiGe 层106a及硅膜10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其具备：具有倾斜部和平坦部的元件分离膜；不在所述元件分离膜的倾斜部上形成而在所述平坦部上形成的保护膜；自被所述元件分离膜包围的活性区域的表面上横跨所述保护膜上而形成的外部基极层。

【技术特征摘要】
JP 2007-2-28 048247/071、一种半导体装置，其具备具有倾斜部和平坦部的元件分离膜；不在所述元件分离膜的倾斜部上形成而在所述平坦部上形成的保护膜；自被所述元件分离膜包围的活性区域的表面上横跨所述保护膜上而形成的外部基极层。2、 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述保护膜的所述活性区 域侧的端部配置在自所述元件分离膜的倾斜部及平坦部的边界部分朝向所 述活性区域的相反侧隔开规定间隔的位置。3、 如权利要求1所述的半导体装置，其中， 所述保护膜包含氧化硅膜和形成于所述氧化硅膜上的多晶硅膜，所述氧化硅膜的端部及所述多晶硅膜的端部位于所述元件分离膜的平 坦部上。4、 如权利要求3所述的半导体装置，其中，所述保护膜的多晶硅膜的 端部比所述氧化硅膜的端部靠所述活性区域侧。5、 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述外部基极层在所述平 坦部的未形成所述保护膜的区域上、所述倾斜部的表面上、所述保护膜的表 面上形成。6、 如权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备在所述平坦部及所 述倾斜部的表面上和所述保护膜的表面上形成的底层，在所述底层的表面上形成有所述外部基极层。7、 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述外部基极层至少含有 SiGe层。8、 如权利要求7所述的半导体装置，其中，所述外部基极层包含所述SiGe层和形成于所述SiGe层上的硅膜， 在所述外部基极层的硅膜上形成有硅化物膜。9、 如权利要求7所述的半导体装置，其中，所述保护膜包含氧化硅膜 和形成于所述氧化硅膜上的多晶硅膜，并且，所述保护膜的多晶硅膜和所述 外部基极层的SiGe层接触。10、 一种半导体装置的制造方法，其包括在半导体衬底上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：北村雄二，井原良和，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]