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本发明是一种自我对准的双极性结型晶体管及其制造方法。在半导体基板上形成一第一基极区、一发射极区和一第二基极区，形成各邻近于发射极区的一对氮化硅间隔物，用具有第一导电型的杂质掺杂第一与第二基极区，除去氮化硅间隔物，发射极区形成小于或等于０．３...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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