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根据本发明方法使制造一种具低基极连接电阻、低缺陷密度及改良的可缩放性的双极性晶体管为可行。在此情况下要了解可缩放性系指射极窗的侧壁缩放及基极宽度（低温度预算）的垂直缩放，在基极区域，该温度预算可被保持为低的，因不需要植入以减少该基极连接电阻...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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