半导体器件及其制造方法技术

一种能够制造同时在抑制台面形状异常的发生而不会对图形布图、使用的蚀刻剂类型等有限制的半导体器件及其制造方法，提供有半导体台面部分、基极接触垫台面部分和导电层，该半导体台面部分包括衬底上的集电极层、基极层和发射极层的叠层并用作为双极晶体管的有源区，该基极接触垫台面部分通过预定距离与此分离并具有与基极层的上表面相同的高度，该导电层整体形成有连接到基极层的基极电极、在除了基极接触垫台面部分的上表面的边缘附近的区域中的基极接触垫台面部分上形成的基极接触垫电极以及连接这些电极的互连。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有双极晶体管的，更具体地涉及具有异质结双极晶体管的。
技术介绍
用作半导体器件的晶体管可以一般说来划分为双极晶体管和金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管及其它场效应晶体管。双极晶体管的一种类型是异质结双极晶体管(HBT)。ED99-262(电子、信息和通信工程师协会)的IEICE技术报告公开了一种能够降低InP/InGaAs基HBT的基极和发射极之间的电容的基极电极提取部分。图1A是示出这种HBT的平面图，以及图1B是沿图1A的线X-X`的剖面图。InP的衬底100具有彼此顺序叠置的n+型InGaAs的并形成集电极提取层(collector takeout layer)的子集电极层(sub-collector layer)101、n-型InGaAs的集电极层102、p+型InGaAs的基极层103、n-型InP的发射极层104、n+型InP和InGaAs的发射极盖层(未示出)等。形成连接到发射极盖层的发射极电极105。为了形成基极接触，部分去除发射极盖层和发射极层104，形成发射极台面部分EM。形成连接到基极层103的基极电极106a。基极层103和集电极层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：在衬底上形成的半导体台面部分，包括至少集电极层、基极层和在与所述基极层相比更窄的区域中形成的发射极层的叠层，并用作双极晶体管的有源区；形成在所述衬底上的基极接触垫台面部分，与所述半导体台面部分分隔开，并 形成有与所述基极层的上表面的高度相同的高度；以及导电层，整体形成有与所述基极层连接的基极电极、基极接触垫电极以及用于连接所述基极电极和所述基极接触垫电极的互连，该基极电极形成在除了所述发射极层的形成区域之外的所述基极层的形成区域部分 处，该基极接触垫电极形成在除了所述基极接触垫台面部分的上表面边缘附近之外的区域中的所述基极接触垫...

【技术特征摘要】
JP 2003-4-24 120393/031.一种半导体器件，包括在衬底上形成的半导体台面部分，包括至少集电极层、基极层和在与所述基极层相比更窄的区域中形成的发射极层的叠层，并用作双极晶体管的有源区；形成在所述衬底上的基极接触垫台面部分，与所述半导体台面部分分隔开，并形成有与所述基极层的上表面的高度相同的高度；以及导电层，整体形成有与所述基极层连接的基极电极、基极接触垫电极以及用于连接所述基极电极和所述基极接触垫电极的互连，该基极电极形成在除了所述发射极层的形成区域之外的所述基极层的形成区域部分处，该基极接触垫电极形成在除了所述基极接触垫台面部分的上表面边缘附近之外的区域中的所述基极接触垫台面部分之上。2.根据前述权利要求1的半导体器件，其中由与所述基极层相同的层来形成所述基极接触垫台面部分的表面层。3.根据前述权利要求1的半导体器件，其中在所述半导体台面部分和所述基极接触垫台面部分之间的所述导电层之下的区域形成一个空间。4.根据前述权利要求1的半导体器件，其中在所述半导体台面部分和所述基极接触垫台面部分之间的所述导电层之下形成绝缘膜。5.根据前述权利要求1的半导体器件，其中在除了所述发射极层的形成区域之外并且在除了所述基极层的边缘附近之外的区域中形成所述基极电极。6.根据前述权利要求1的半导体器件，其中在所述半导体台面部分和所述基极接触垫台面部分之间的距离为1-5μm。7.根据前述权利要求1的半导体器件，其中所述半导体台面部分由化合物半导体的叠层组成并具有异质结双极晶体管。8.一种制造具有双极晶体管的半导体器件的方法，该双极晶体管包括在衬底上的发射极层、基极层和集电极层，该制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林纯一郎，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]