故障解析装置制造方法及图纸

提供一种可在台上稳定地载放取样并可使解析视场移动的故障解析技术。在台１１上经解析用板２载放取样１。在解析用板２的主面２ｂ设有凹部２ｃ，在该凹部２ｃ的底面２ｃａ设有作为固态浸没透镜起作用的凸部２ｄ。而且，凸部２ｄ未突出出解析用板２的主面２ｂ。独立于取样１，包括具有固态浸没透镜的解析用板２，由此可以使解析视场移动。还由于凸部２ｄ未突出出解析用板２的主面２ｂ，而可以把解析用板２夹在其间在台１１上稳定地载放取样１。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

该专利技术涉及利用了固态浸没透镜的故障解析装置。
技术介绍
随着LSI等半导体装置的多层布线化，从半导体基片上面的评价、解析变得困难，而从从半导体基片背面着手的方法成为必须。作为从背面着手的主要故障解析方法，有通过检测从电流泄漏处发生的微弱光来进行故障解析的发光解析(也称为“放射解析”)、通过把由激光束的照射而发生的起动电流或电源电流的变化转换成像来确定故障处的OBIC(光起动电流)解析以及OBRCH(Optical Beam InducedResistance CHange)解析，并且进一步还有照射激光束并捕捉其反射光的强度或相位变化，由此观测任意位置的电位波形的激光电压探测(LVP)解析等。从这些半导体基片背面着手的故障解析(以下简单称为“背面解析”)，由于需要经厚度为100μm的半导体基片来检测在其上面形成的半导体元件，所以通常利用穿透硅的红外光。然而，采用的红外光波长为1μm，因此空间鉴别力实效为0.7μm以上，因背面解析的应用而不得不牺牲像鉴别力。于是，作为改善空间鉴别力的技术，在非专利文献1中提出了采用由硅构成的固态浸没透镜(Solid Immersion Lens，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种故障解析装置，包括解析用板，具有放置取样的第１主面和其相反侧的第２主面；故障检测部，具有光学系统，利用所述光学系统来检测在所述取样内发生的故障，其中，在所述解析用板的所述第２主面设置有凹部，在所述 凹部的底面设置有不突出出所述第２主面并作为固态浸没透镜起作用的凸部，所述故障检测部从所述解析用板的所述第２主面侧通过所述凸部对所述取样照射光，或者通过所述凸部检测来自所述取样的光。

【技术特征摘要】
JP 2003-4-25 121282/031.一种故障解析装置，包括解析用板，具有放置取样的第1主面和其相反侧的第2主面；故障检测部，具有光学系统，利用所述光学系统来检测在所述取样内发生的故障，其中，在所述解析用板的所述第2主面设置有凹部，在所述凹部的底面设置有不突出出所述第2主面并作为固态浸没透镜起作用的凸部，所述故障检测部从所述解析用板的所述第2主面侧通过所述凸部对所述取样照射光，或者通过所述凸部检测来自所述取样的光。2.权利要求1中记载的故障解析装置，其中，所述解析用板作为载放所述取样的台来使用。3.权利要求1中记载的故障解析装置，其中，所述解析用板由硅构成。4.权利要求2中记载的故障解析装置，其中，所述解析用板由石英玻璃构成。5.权利要求1至4任一中记载的故障解析装置，其中，在所述解析用板的所述第2主面设置有多个所述凹部，在各所述凹部的底面设置有所述凸部。6.权利要求5中记载的故障解析装置，其中，所述取样是形成了多个半导体芯片的半导体晶片，所述凹部及所述凸部按所述半导体芯片来设置，并且被设置在与所述半导体芯片的配置对应的位置。7.权利要求1至4任一中记载的故障解析装置，还包括夹具，独立于所述解析用板并支撑所述取样；第1驱动部，使所述解析用板相对所述第1主面平行移动。8.权利要求7中记载的故障解析装置，还包括第2驱动部，使所述故障检测部的所述光学系统相对所述解析用板的所述第1主面平行移动，其中，所述第1驱动部向所述第2驱动部通知所述解析用板的移动信息，所述第2驱动部根据所述移动信息来使所述光学系统移动。9.权利要求1至4任一中记载的故障解析装置，还包括探针，与所述解析用板上的所述取样接触；驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山彻，小守纯子，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]