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一种能够制造同时在抑制台面形状异常的发生而不会对图形布图、使用的蚀刻剂类型等有限制的半导体器件及其制造方法，提供有半导体台面部分、基极接触垫台面部分和导电层，该半导体台面部分包括衬底上的集电极层、基极层和发射极层的叠层并用作为双极晶体管的有...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

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