一种半导体研磨剂制造技术

一种半导体研磨剂，其由以下重量份数的原料制成：含氢硅油4‑7份，季戊四醇2‑4份，蒙脱土4‑9份，硅微粉5‑10份，稀土硅铁合金6‑9份，环氧改性酚醛树脂1‑4份，过氧化苯甲酰6‑10份，纳米石墨粉3‑6份，磷酸二氢钾2.3‑4.8份，双酚A型聚碳酸酯4‑8份，分散剂2‑3份，甲基三乙氧基硅烷8‑12份，氯化钙2.3‑4.1份，聚乙烯醇1.3‑5份，钼铁粉2.2‑3.8份，聚丙烯酸盐6‑8份，水杨酸钠4.2‑7份。本发明专利技术的有益效果是：本发明专利技术的半导体研磨剂，具有很好的稳定性和刻痕性，具有很好的研磨效果，且不会产生腐蚀现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体研磨剂。
技术介绍
在半导体芯片的加工制造过程中，随着采用嵌入式工序(一种费用相当便宜且能在硅芯片上建立更密集的元器件结构的工序)的逐步普及，对芯片中的金属导线进行化学机械研磨抛光亦变得必不可少。现有的研磨剂大部分在研磨的同时会对半导体部件造成腐蚀，降低了研磨体的性能，缩短了半导体的使用时间。因此，半导体的性能有待于进一步改进。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术要解决的问题是，提供一种半导体研磨剂，具有很好的稳定性和刻痕性，具有很好的研磨效果，且不会产生腐蚀现象。为解决现有技术问题，本专利技术提供的技术方案是，一种半导体研磨剂，其由以下重量份数的原料制成：含氢硅油4-7份，季戊四醇2-4份，蒙脱土4-9份，硅微粉5-10份，稀土硅铁合金6-9份，环氧改性酚醛树脂1-4份，过氧化苯甲酰6-10份，纳米石墨粉3-6份，磷酸二氢钾2.3-4.8份，双酚A型聚碳酸酯4-8份，分散剂2-3份，甲基三乙氧基硅烷8-12份，氯化钙2.3-4.1份，聚乙烯醇1.3-5份，钼铁粉2.2-3.8份，聚丙烯酸盐6-8份，水杨酸钠4.2-7份。本专利技术的有益效果是：本专利技术的半导体研磨剂，具有很好的稳定性和刻痕性，具有很好的研磨效果，且不会产生腐蚀现象。具体实施方式实施例1一种半导体研磨剂，其由以下重量份数的原料制成：含氢硅油4份，季戊四醇2份，蒙脱土4份，硅微粉5份，稀土硅铁合金6份，环氧改性酚醛树脂1份，过氧化苯甲酰6份，纳米石墨粉3份，磷酸二氢钾2.3份，双酚A型聚碳酸酯4份，分散剂2份，甲基三乙氧基硅烷8份，氯化钙2.3份，聚乙烯醇1.3份，钼铁粉2.2份，聚丙烯酸盐6份，水杨酸钠4.2份。实施例2一种半导体研磨剂，其由以下重量份数的原料制成：含氢硅油7份，季戊四醇4份，蒙脱土9份，硅微粉10份，稀土硅铁合金9份，环氧改性酚醛树脂4份，过氧化苯甲酰10份，纳米石墨粉6份，磷酸二氢钾4.8份，双酚A型聚碳酸酯8份，分散剂3份，甲基三乙氧基硅烷12份，氯化钙4.1份，聚乙烯醇5份，钼铁粉3.8份，聚丙烯酸盐8份，水杨酸钠7份。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体研磨剂，其特征在于：其由以下重量份数的原料制成：含氢硅油4‑7份，季戊四醇2‑4份，蒙脱土4‑9份，硅微粉5‑10份，稀土硅铁合金6‑9份，环氧改性酚醛树脂1‑4份，过氧化苯甲酰6‑10份，纳米石墨粉3‑6份，磷酸二氢钾2.3‑4.8份，双酚A型聚碳酸酯4‑8份，分散剂2‑3份，甲基三乙氧基硅烷8‑12份，氯化钙2.3‑4.1份，聚乙烯醇1.3‑5份，钼铁粉2.2‑3.8份，聚丙烯酸盐6‑8份，水杨酸钠4.2‑7份。

【技术特征摘要】
1.一种半导体研磨剂，其特征在于：其由以下重量份数的原料制成：含氢硅油4-7份，季戊四醇2-4份，蒙脱土4-9份，硅微粉5-10份，稀土硅铁合金6-9份，环氧改性酚醛树脂1-4份，过氧化苯甲酰6-10份，纳米石墨粉3...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐茂航，
申请(专利权)人：青岛千帆高新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37