【技术实现步骤摘要】
一种半导体集成电路研磨剂
[0001 ] 本专利技术涉及一种半导体集成电路研磨剂。
技术介绍
近年来，伴随着半导体集成电路(以下记作LSI)的高集成化，高性能化，开发了新型的细微加工技术，化学研磨法就是其中一种，特别是在多层布线形成工序中的层间绝缘膜的平坦化，金属栓塞形成、埋入布线形成中频繁地应用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种半导体集成电路研磨剂。 为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是: 一种半导体集成电路研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质:醚硫酸钠4-8份，脂肪醇聚氧乙烯9-10份，硬脂酸14-23份，滑石粉2-3份，硬脂酸锌1-2份，纳米碳酸钙 3-5份，二氯甲烷6-14份，硬脂酸钙9-14份，多聚甲醛8-12份，苯甲醇2-3份，正戊烷17-21份，碳酸钙15-26份，乙二醛1-2份，乙酸乙酯1-2份，苯甲酸甲酯5-9份，三氯甲烷1-3份，阻燃剂4-6份，分散剂1-3份，聚丙烯酯5-9份。 本专利技术的有益效果是:腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。 【具体实施方式】 实施例1 一种半导体集成电路研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质:醚硫酸钠4-8份，脂肪醇聚氧乙烯9-10份，硬脂酸14-23份，滑石粉2-3份，硬脂酸锌1-2份，纳米碳酸钙 3-5份，二氯甲烷6-14份，硬脂酸钙9-14份，多聚甲醛8-12份，苯甲醇2-3份，正戊烷17-21份，碳酸钙15-26份，乙二醛1-2份，乙酸乙酯1-2份，苯甲酸甲酯5-9份，三氯甲烷1-3份，阻燃剂4-6份，...
【技术保护点】
一种半导体集成电路研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：醚硫酸钠4‑8份，脂肪醇聚氧乙烯9‑10份，硬脂酸14‑23份，滑石粉2‑3份，硬脂酸锌1‑2份，纳米碳酸钙3‑5份，二氯甲烷6‑14份，硬脂酸钙9‑14份，多聚甲醛8‑12份，苯甲醇2‑3份，正戊烷17‑21份，碳酸钙15‑26份，乙二醛1‑2份，乙酸乙酯1‑2份，苯甲酸甲酯5‑9份，三氯甲烷1‑3份，阻燃剂4‑6份，分散剂1‑3份，聚丙烯酯5‑9份。
【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质:醚硫酸钠4-8份，脂肪醇聚氧乙烯9-10份，硬脂酸14-23份，滑石粉2-3份，硬脂酸锌1-2份，纳米碳酸钙3-5份，二氯甲烷6-14份，硬脂酸钙...
【专利技术属性】
技术研发人员：范向奎，
申请(专利权)人：青岛宝泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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