【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种研磨组合物，其特征在于，包括下列重量份数的物质：水杨酸钠35-40份，醋酸钠2-7份，含氢硅油3-8份，甲基硅油9-15份，分子筛1-3份，硅藻土2-7份，硼酸钠3-8份，聚丙烯4-9份，甲基三乙氧基硅烷14-19份，抗氧剂2-4份，防老剂1份，氯化钙2-5份。本专利技术的化学机械研磨剂中包括亲水基表面洁性剂材料，可以降低化学机械研磨剂和正在水性薄膜间的表面张力，使化学机械研磨剂和琉水性薄膜更紧密贴合。【专利说明】一种研磨组合物
本专利技术涉及一种研磨组合物。
技术介绍
在半导体制造中，化学机械研磨(CMP)技术可以实现整个晶圆的平坦化，成为芯片制造工艺中重要的步骤之一。在化学机械研磨中，化学机械研磨剂(Slurry)是化学机械研磨技术的关键要素之一，其性能直接影响抛光后表面的质量。设计化学机械研磨剂时，希望能达到去除速率高、平面度好、膜厚均匀、无残留、缺陷少等效果。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种研磨组合物。 为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是:一种研磨组合物，其特征在于，包括下列重量份数的物质:水杨酸钠35-40份，醋酸钠2-7份，含氢硅油3-8份，甲基硅油9-15份，分子筛1-3份，硅藻土 2-7份，硼酸钠3-8份，聚丙烯4-9份，甲基三乙氧基硅烷14-19份，抗氧剂2-4份，防老剂1份，氯化钙2-5份。 本专利技术的化学机械研磨剂中包括亲水基表面洁性剂材料，可以降低化学机械研磨剂和正在水性薄膜间的表面张力，使化学机械研磨剂和琉水性薄膜更紧密贴合，从...
【技术保护点】
一种研磨组合物，其特征在于，包括下列重量份数的物质：水杨酸钠35‑40份，醋酸钠2‑7份，含氢硅油3‑8份，甲基硅油9‑15份，分子筛1‑3份，硅藻土2‑7份，硼酸钠3‑8份，聚丙烯4‑9份，甲基三乙氧基硅烷14‑19份，抗氧剂2‑4份，防老剂1份，氯化钙2‑5份。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：范向奎，
申请(专利权)人：青岛宝泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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