研磨用组合物制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种不会起泡、能够提高研磨特性的研磨组合物。本发明专利技术的研磨组合物的特征在于，其含有ｐＨ调节剂、水溶性高分子化合物和包含下述通式（１）表示的具有两个氮的亚烷基二胺结构的化合物，其中，在所述化合物的所述亚烷基二胺结构的两个氮上结合有至少一个嵌段型聚醚，而且所述嵌段型聚醚结合有氧乙烯基ＥＯ和氧丙烯基ＰＯ。式中，Ｒ是由ＣｎＨ２ｎ表示的亚烷基，ｎ是１以上的整数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在硅晶片的研磨处理中使用的研磨组合物。
技术介绍
基于CMP的硅晶片研磨通过进行3阶段或4阶段的多阶段研磨来实现高精度的平坦化。第1阶段和第2阶段进行的1次研磨和2次研磨以表面平滑化为主要目的，要求高 的研磨速度。第3阶段或第4阶段的最终阶段进行的精研磨以雾度(表面浑浊)的抑制为主要 目的。具体而言，降低加工压力以抑制雾度，同时使浆料组成从1次研磨和2次研磨中使用 的组成发生变化，从而在研磨的同时还进行表面的亲水化。在特开平10-245545号公报中，记载了适合于硅晶片表面的镜面研磨的研磨助 齐U。在特开2001-110760号公报中，记载了可抑制硅晶片表面的雾度，提高表面平坦性、研 磨速度等研磨性能的研磨助剂。特开平10-245545号公报和特开2001-110760号公报记载的研磨助剂正如各自的 通式(1)所示的那样，由含有氧乙烯基和氧丙烯基的嵌段型聚醚构成。另外，特开2005-85858号公报记载的研磨用组合物含有包含氧乙烯基和氧丙烯 基的嵌段型聚醚、二氧化硅、碱性化合物、选自羟乙基纤维素和聚乙烯醇之中的至少一种、 以及水，改善了 COP和雾度水平。特开平本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨组合物，其特征在于，该研磨组合物含有ｐＨ调节剂、水溶性高分子化合物和包含下述通式（１）表示的具有两个氮的亚烷基二胺结构的化合物，其中，在所述化合物的所述亚烷基二胺结构的两个氮上结合有至少一个嵌段型聚醚，而且所述嵌段型聚醚结合有氧乙烯基和氧丙烯基；＊Ｎ－Ｒ－Ｎ＊（１）式中，Ｒ是由Ｃ↓［ｎ］Ｈ↓［２ｎ］表示的亚烷基，ｎ是１以上的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：松下隆幸，寺本匡志，能条治辉，
申请(专利权)人：霓达哈斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]