【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及化学机械研磨用研磨剂组合物和用于制造半导体集成 电路装置的方法，所述研磨剂组合物用于半导体集成电路装置的制造 方法。更具体地，本专利技术涉及化学机械研磨用研磨剂组合物和使用所 述研磨剂组合物制造半导体集成电路装置的方法，所述研磨剂组合物 适合于形成埋设的金属互连，其中例如铜金属被用作互连材料并且钽 基金属被用作阻挡层材料。
技术介绍
随着近来半导体集成电路装置向着更高集成度和更高功能性的发 展，在半导体集成电路装置制造工序中已经推进了用以实现精细化和 高密度的微加工技术。特别是，层间绝缘膜或埋设的金属互连的平坦 化技术在多层互连形成工序中是重要的。作为互连材料，注意力集中在比电阻低并且耐电迁移性优异的铜 上。对于铜互连形成，使用包括下列操作的镶嵌法在绝缘层上形成 沟槽如互连图案，形成用于防止铜扩散的阻挡层，其后，通过溅射法 或电镀法形成被埋入所述沟槽中的铜层，通过化学机械研磨法(CMP，下文称为CMP)除去多余的铜层和阻挡层，直到露出除所述沟槽以外的绝缘层表面为止，并使所述表面平坦化，由此形成埋设的金属互连。 作为阻挡层，使用包括钽的钽基金属、钽合...
【技术保护点】
一种用于制造半导体集成电路装置的研磨剂组合物，其包含： 二氧化硅粒子， 选自由过氧化氢、过硫酸铵和过硫酸钾组成的组中的一种或多种氧化剂， 由式（１）表示的化合物，式中Ｒ↑［２］和Ｒ↑［３］各自独立地为氢原子、具有１至４个碳原子的烷基、具有１至４个碳原子的烷氧基、羧酸基或氨基， 支链淀粉， 选自由硝酸、硫酸和羧酸组成的组中的一种或多种酸，和 水，并且 该研磨剂组合物的ｐＨ在１～５的范围内， ＊＊＊ －－－（１）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：竹宫聪，伊藤启一，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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